MWECR CVD高速制備優(yōu)質(zhì)a-Si-H薄膜的工藝研究.pdf

1、a-Si:H薄膜已經(jīng)廣泛應(yīng)用于太陽能電池,而且作為薄膜場效應(yīng)管在電子攝像,大面積平板顯示器等領(lǐng)域的應(yīng)用也有很大進(jìn)展.a-Si:H的沉積速率和品質(zhì)很大程度上受到制備工藝的影響.為了在低溫下高速制備優(yōu)質(zhì)a-Si:H薄膜,使其能夠產(chǎn)業(yè)化,微波電子回旋共振化學(xué)氣相沉積(MWECR CVD)方法在國際上受到人們廣泛的重視.MWECR CVD產(chǎn)生的等離子體具有能量轉(zhuǎn)化率高,氣體分解率、激發(fā)態(tài)物種和基團(tuán)濃度高等優(yōu)點(diǎn),制備工藝中存在多種參數(shù)制約著等離子

2、體特性,并由此決定了a-Si:H薄膜的性能.薄膜沉積機(jī)制相當(dāng)復(fù)雜,還沒有成熟的理論描述.我們通過紅外光譜,電導(dǎo)率測量等測試方法,結(jié)合對等離子體的分析,獲得了如稀釋比、沉積壓強(qiáng)、沉積溫度、磁場結(jié)構(gòu)等工藝參數(shù)的優(yōu)化值.為了提高薄膜性能在制備中的可重復(fù)性,并減小其光致衰退,在實(shí)驗(yàn)后期首次嘗試采用HW輔助MWECR CVD制備a-Si:H薄膜,實(shí)驗(yàn)表明,由于熱絲起到促進(jìn)等離子體分解等作用,因而對提高薄膜性能有顯著作用:找到最佳輔助熱絲溫度為14