MWECR CVD法制備B-C薄膜的工藝研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩72頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、本文綜述了當(dāng)前B-C化合物的研究概況，簡單介紹了幾種制備B-C化合物的常用方法，并概述了目前人們已發(fā)現(xiàn)的B-C化合物的各種特性。本實(shí)驗(yàn)采用乙硼烷（B2H6）為B源，乙烯（C2H4）為C源，利用微波電子回旋共振化學(xué)氣相沉積法（MWECR CVD）沉積得到了B-C薄膜。主要研究了源氣體C2H4/B2H6摩爾比、工作氣壓、沉積溫度以及微波功率對薄膜成分、價鍵結(jié)構(gòu)以及沉積速率的影響。
　　通過EDS譜對樣品成分分析得出，隨C2H4/B2H

2、6摩爾比的增加，樣品中C/B原子比呈指數(shù)關(guān)系增加。我們利用臺階儀測出樣品膜厚，計算出沉積速率，發(fā)現(xiàn)：工作氣壓的增加，使沉積速率先增加后減小，在0.6 Pa時達(dá)到峰值，沉積速率為0.293 nm/s。隨基片溫度的升高，沉積速率也呈現(xiàn)出相同的規(guī)律，在100℃時達(dá)到最大，為0.227 nm/s。隨著微波功率的增加，沉積速率逐漸增加。
　　通過對樣品 XPS全譜分析得出，升高基片溫度或增加微波功率，樣品中的B含量均逐漸增加，C/B原子比隨

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論