8-羥基喹啉鋁的表面改性及其在OLED器件中的應(yīng)用研究.pdf

1、8-羥基喹啉鋁（Alq3）是有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED:Organic LightEmitting Diode)中重要的電子注入材料和發(fā)光材料，具有成本低、制備簡(jiǎn)單且具有高的電子親和勢(shì)(EA≈3.0 eV)、電離能(Ip≈5.95 eV)、良好的熱穩(wěn)定性（玻璃化轉(zhuǎn)變溫度約172℃）和電子傳導(dǎo)性（10-5 cm2·V-1·S-1）、以及高的熒光量子效率(32％)等優(yōu)點(diǎn)。因此，對(duì)Alq3進(jìn)行表面改性，通過(guò)提高其對(duì)氧氣和水汽的絕緣，實(shí)現(xiàn)器件壽

2、命的提高具有重要的實(shí)際意義。
　　 本論文基于有機(jī)小分子電致發(fā)光材料的性質(zhì)和無(wú)機(jī)熒光粉的包覆方法，以Alq3為研究對(duì)象，通過(guò)選用不同的改性材料及不斷優(yōu)化實(shí)驗(yàn)方案來(lái)改善改性包覆效果，旨在獲得包覆均勻且器件性能良好的改性產(chǎn)物。在本文中主要研究了兩個(gè)改性材料包括三部分內(nèi)容。
　　 首先，本論文選擇MgF2為改性材料，采用溶膠-凝膠的方法，在Alq3微晶表面包覆一層Mg(CF3COO)2，再在300℃真空環(huán)境中燒結(jié)得到Alq3@

3、MgF2。在利用MgF2改性Alq3的過(guò)程中，通過(guò)改變MgF2與Alq3的投料比，制得一系列不同摩爾含量的Alq3@MgF2，并通過(guò)對(duì)其表面形貌、光學(xué)性質(zhì)尤其是器件性能來(lái)表征改性結(jié)果，最終MgF2摩爾含量為5％，得到效果最優(yōu)的Alq3@MgF2改性材料。
　　 其次，在實(shí)驗(yàn)室前期工作的基礎(chǔ)上，選擇無(wú)機(jī)絕緣材料SiO2作為改性材料，通過(guò)優(yōu)化工藝，利用正硅酸乙酯（TEOS:Tetraethylorthosilicate）在中性條件下

4、水解在Alq3沉積一層SiO2膜，盡管沒(méi)有得到表面包覆均勻的材料，但其器件的各項(xiàng)性能都較前期工作有了很大的提升，尤其是器件的壽命得到了明顯的延長(zhǎng)。
　　 最后，本論文再次選擇SiO2為改性材料，TEOS為硅源，以三乙胺為堿性水解催化劑和橋接劑，在Alq3生成的過(guò)程中同時(shí)在其表面水解TEOS，成功的實(shí)現(xiàn)了一鍋法制備Alq3@SiO2結(jié)構(gòu)。通過(guò)改變TEOS與8-羥基喹啉(8-Hq:8-Hydroxyquinoline)的投料比，得到