陰極電沉積二氧化鈦功能薄膜及元素?fù)诫s的研究.pdf

1、電沉積技術(shù)是制備金屬或非金屬薄膜常用的方法，它成本低，操作簡(jiǎn)單，經(jīng)濟(jì)有效，在工業(yè)技術(shù)中受到非常廣泛的應(yīng)用。但是電沉積技術(shù)又是一種影響因素多，表面質(zhì)量缺陷多，沉積機(jī)理研究不夠透徹的加工方法，在一定程度上也限制了它的發(fā)展和應(yīng)用。為了更好了提高電沉積的效果，必須研究清楚電沉積過(guò)程中因素對(duì)電沉積效果的影響。
　　 本文采用陰極電沉積方法，在兩電極體系中制備二氧化鈦薄膜，探索陰極電沉積法制備二氧化鈦薄膜的機(jī)理，討論電沉積因素對(duì)薄膜形貌的影

2、響規(guī)律，分析電沉積因素對(duì)薄膜裂紋產(chǎn)生和擴(kuò)展的作用機(jī)制，其主要原因是由于陰極產(chǎn)生氣體和薄膜過(guò)厚。沉積電壓升高，陰極容易產(chǎn)生氣體，沉積速度加快，容易形成裂紋。延長(zhǎng)沉積時(shí)間和提高主鹽的濃度會(huì)促使薄膜沉積過(guò)厚，造成薄膜內(nèi)應(yīng)力增大，裂紋會(huì)越來(lái)越嚴(yán)重。改變陰極電沉積過(guò)程中的沉積電壓，沉積時(shí)間，溶液的pH和主鹽濃度，制備了不同條件下的薄膜。通過(guò)SEM分析，發(fā)現(xiàn)不同條件下得到薄膜形貌差異很大，在不同條件下得到薄膜形狀主要有致密狀，囊狀，顆粒狀。最后對(duì)電

3、沉積二氧化鈦薄膜進(jìn)行了正交實(shí)驗(yàn)，分析每個(gè)實(shí)驗(yàn)因素對(duì)顆粒大小的影響，通過(guò)顯著性判斷各因素與實(shí)驗(yàn)結(jié)果的相關(guān)性得出：隨著電壓增大，薄膜顆粒直徑減小，沉積時(shí)間和硫酸氧鈦的濃度增加則會(huì)使薄膜顆粒直徑增大，pH值則對(duì)薄膜直徑?jīng)]有明顯的相關(guān)性。
　　 采用陰極電沉積的方法制備了Fe元素?fù)诫s二氧化鈦薄膜，通過(guò)改變電沉積溶液中Fe3+的溶度，制備出了不同F(xiàn)e元素含量的摻雜薄膜。通過(guò)XPS分析，研究了電沉積液中Fe3+的溶度與得到的摻雜薄膜中Fe元