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文檔簡介
1、隨著摩爾定律不斷地推動著集成電路工藝向前進步,芯片的特征尺寸越來越小,工作頻率越來越高,金屬互連線所占的面積越來越大,傳統(tǒng)的金屬互連線遭遇到了性能的極限問題,如互連線的延時、壓降、串擾、功耗等問題將制約集成電路的進一步發(fā)展。因此,研究并設計一系列緩解或解決互連線極限問題的互連新技術(shù)勢在必行。
天線是無線通信系統(tǒng)中一個不可缺少的重要組成部分。近幾年來,人們開始研究將天線技術(shù)應用于芯片互連線的領(lǐng)域,采用無線通信系統(tǒng)的分析與設計
2、方法,用天線及無線通信方式取代傳統(tǒng)的金屬互連線,實現(xiàn)芯片內(nèi)部或者芯片之間某些功能模塊的互連,從而在一定程度上緩解金屬互連線的極限問題,此即無線互連技術(shù)。同時,也有研究采用少量傳統(tǒng)微波傳輸線(微帶線或共面波導)作為傳輸介質(zhì),用無線通信中的各種調(diào)制解調(diào)方式,通過耦合電容上傳與下傳多路信號,從而減小傳統(tǒng)金屬線所占的面積,部分緩解傳統(tǒng)金屬線發(fā)展的一些極限問題,此即射頻互連技術(shù)。
本學位論文在總結(jié)前人研究的基礎(chǔ)上,構(gòu)建了射頻互連系統(tǒng)
3、的信道模型及噪聲模型,分析了該模型的信號傳輸特性及噪聲特性,以及綜合使用各種調(diào)制方式實現(xiàn)帶寬-信噪比的一個較好的均衡。同時,主要針對片上天線的小型化,高增益,低損耗,定向性等問題展開了研究,設計了各種適用于無線互連系統(tǒng)的天線。將電磁帶隙(EBG),高阻表面(HIS)等技術(shù)應用于片上天線的設計,并實現(xiàn)了一款單頻片間無線互連收發(fā)系統(tǒng),從而驗證了該天線的性能優(yōu)越性及無線互連系統(tǒng)實現(xiàn)的可行性。具體內(nèi)容闡述如下:
1、構(gòu)建并分析了射
4、頻互連系統(tǒng)的信道及噪聲模型,包括信道的信號傳輸特性,噪聲特性,包括端口反射噪聲、開關(guān)耦合噪聲和接收機熱噪聲等。根據(jù)所得到的信道信噪比特性,為了在帶寬及誤碼率之間實現(xiàn)一個較好的均衡,在不同信噪比條件下綜合使用CDMA及MPSK等分段調(diào)制方式,提高了整個射頻互連系統(tǒng)的整體性能。
2、為了提高無線互連系統(tǒng)的互連性能,設計了一系列小型化,高增益,低損耗,高方向性的片上天線。采用標準0.18um CMOS工藝設計實現(xiàn)片上縫隙天線,證
5、明了在嚴格的工藝規(guī)則限制下,設計實現(xiàn)這些片上天線完全可行。采用低電阻率(10Ω·cm)的硅襯底設計實現(xiàn)片上縫隙天線,結(jié)果表明該縫隙天線比傳統(tǒng)的偶極子天線具有更高的片間傳輸增益。同時采用該工藝設計實現(xiàn)的片上折合振子天線,在減小天線所占面積的同時一定程度上提高了天線的增益。本文還設計仿真了一對片上鋸齒形定向天線,通過前后傳輸增益的比較,證明該天線具有較好的定向性,從而降低了其后向輻射,減小了對天線后向電路的影響。
3、為了進一
6、步提高片上天線的傳輸增益,降低標準CMOS工藝中低電阻率硅襯底對天線增益性能的影響,本文將HIS結(jié)構(gòu)應用到片上天線的設計中,利用HIS結(jié)構(gòu)中的人工磁導體特性,增大了片上偶極子天線的同向電流,從而提高了片上偶極子天線的輻射增益,降低了低損耗硅襯底的損耗。同時,通過HIS加載片上MIM電容,進一步減小了HIS模塊的面積,從而節(jié)省了天線所占芯片面積。本文還采用EBG結(jié)構(gòu)調(diào)諧天線的輸入阻抗,在大大減小片上偶極子天線尺寸的同時還抑制了高次諧波。<
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