電控全息光開關(guān)理論及KLTN晶體光學(xué)性能分析.pdf

1、電控全息光開關(guān)的物理機理是電壓控制光折變效應(yīng)，即外電場控制存儲于順電態(tài)的光折變晶體中體全息圖的再現(xiàn)，速度可達納(亞)秒量級，是目前最快的光開關(guān)之一。基于摻雜的鉭鈮酸鉀鋰(KLTN)晶體被認為是目前用作電控全息光開關(guān)的最佳材料，具有高的衍射效率、快的電光開關(guān)時間。本文對電控全息光開關(guān)基本原理，電控全息記錄介質(zhì)及其光學(xué)性能進行了研究，所做的主要工作如下：
　　1.對電控全息物理機理進行了研究，推導(dǎo)了有效電光系數(shù)的表達式。
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2、.分析了順電相KLTN晶體中空間電荷場Esc與摻雜濃度ND、光柵周期Λ、外電場E0w和居里溫度Tc的關(guān)系，光折變折射率變化Δn與讀出外電場E0r、摻雜濃度ND，居里溫度Tc的關(guān)系，以及順電相KLTN晶體中Bragg衍射效率與調(diào)制度m、晶體厚度d和讀出外電場E0ext的關(guān)系。
　　3.提出一種基于數(shù)字全息的KLTN晶體光學(xué)參數(shù)測量方法。該方法是利用數(shù)字全息術(shù)測量晶體的折射率和透過率，利用數(shù)字全息干涉術(shù)測量晶體的有效電光系數(shù)。