用于OEIC的光敏HEMT的理論探討和器件研制.pdf

1、該文探討了用于OEIC的inP基光敏HEMT的理論模擬和幾個(gè)關(guān)鍵的工藝.為了研制可用于長(zhǎng)波長(zhǎng)光纖通信,具有探測(cè)放大能力的OEICInP基光敏HEMT,針對(duì)目前InP基光敏HEMT的理論模擬和關(guān)鍵工藝所存在的問題,我們探索了以下幾項(xiàng)工作:1、考慮了HEMT靜態(tài)模型的四個(gè)部分:溝道電流(或漏源電流)表達(dá)式、2DEG(二維電子氣)面密度與柵壓的關(guān)系、載流子速度(漂移速度)與電場(chǎng)關(guān)系、源漏邊界條件,我們提出了新的靜態(tài)特性解析式.2、以新的靜態(tài)行

2、性解析式為基礎(chǔ),應(yīng)用RC傳輸線模型,并做了新的改進(jìn),我們計(jì)算了光照下高頻二維微波散射(S)參數(shù)矩陣的各個(gè)矩陣元數(shù)值.3、我們首次對(duì)光敏HEMT的光敏機(jī)理作了探索,建立了理論模型,定量計(jì)算了在穩(wěn)定光照下的I-V特性.4、應(yīng)用MOCVD技術(shù)生長(zhǎng)了符合設(shè)計(jì)要求的高質(zhì)量InP基八層外延材料.5、考慮了器件隔離、光響應(yīng)度等因素,設(shè)計(jì)了多種光刻版圖.6、為了得到良好的臺(tái)面構(gòu)造和合適的柵槽,探索了室溫下的選擇腐蝕工藝;為了得到線條良好的柵電極,探索了