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文檔簡介
1、第三代半導體材料GaN以其寬禁帶，抗高壓，電流密度大，電子飽和速度高以及導熱性良好等優(yōu)異的電學和化學特性，逐漸進入了大家的視野。隨著GaN HEMT器件材料、工藝以及結(jié)構(gòu)的發(fā)展，GaN HEMT成為當前制作微波功率放大器件的首選材料。基于GaN HEMT的微波內(nèi)匹配功率器件具有高工作電壓、高輸出功率、寬頻帶、體積小和損耗小等特點，成為當前各國微波功率領(lǐng)域的重要研究對象，廣泛用于相控陣雷達等軍事和商業(yè)領(lǐng)域。本文目標是研制高性能的基于GaN
2、 HEMT的功率放大器，開展了S波段內(nèi)匹配功率合成放大器的研究工作并最終實現(xiàn)。
本文針對HEMT微波功率放大器的技術(shù)特點，研究了匹配電路的電路結(jié)構(gòu)、進行電路優(yōu)化、電路穩(wěn)定性分析等關(guān)鍵技術(shù)，做了詳實的研究和理論分析。建立了比較完整的電路設(shè)計流程。通過load-pull負載牽引的方法測量得到該器件在2.8GHZ頻率點附近的最佳輸入輸出阻抗，應用Smith原圖匹配法，借助ADS軟件設(shè)計了內(nèi)匹配網(wǎng)絡和偏置電路。
成功研制了S
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