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文檔簡介
1、具有較寬帶隙的Ⅲ族氮化物是制備藍光到紫外光波段發(fā)光器件的理想材料,近十多年來成為人們研究的熱點.具體來說,Ⅲ族氮化物包括AlN、GaN和InN,以及他們的合金,如InGaN、AlGaN等.在GaN的發(fā)光二極管和激光二極管成功實現(xiàn)商品化的激勵下,探索Ⅲ族氮化物的納米顆粒在量子點激光器方面的應用逐漸成為人們下一個努力的方向.在該文中,我們利用高壓直流脈沖放電的方法先后合成了InN和InGaN的納米顆粒,并對其特性進行了研究.(一)系統(tǒng)回顧了
2、半導體量子點理論,并根據(jù)理論結(jié)果對Ⅲ族氮化物納米顆粒的玻爾激子半徑和由不同程度的量子束縛效應引起的光譜藍移量進行了計算.(二)通過對氮氣,氨氣和氮氨混合氣體放電等離子體的光譜診斷,得到了有效產(chǎn)生原子態(tài)氮的實驗條件,即當NH<,3>和N<,2>以1/9的比率混合時,在很寬的氣壓范圍內(nèi),其脈沖放電等離子體中都能夠產(chǎn)生較高含量的原子態(tài)的氮.(三)利用高壓脈沖放電的方法,我們合成了InN納米顆粒,其中在氮氨混合氣體中得到了無氧InN的納米顆粒.
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