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文檔簡介
1、具有較寬帶隙的Ⅲ族氮化物是制備藍光到紫外光波段發(fā)光器件的理想材料,近十多年來成為人們研究的熱點.具體來說,Ⅲ族氮化物包括AlN、GaN和InN,以及他們的合金,如InGaN、AlGaN等.在GaN的發(fā)光二極管和激光二極管成功實現(xiàn)商品化的激勵下,探索Ⅲ族氮化物的納米顆粒在量子點激光器方面的應(yīng)用逐漸成為人們下一個努力的方向.在該文中,我們利用高壓直流脈沖放電的方法先后合成了InN和InGaN的納米顆粒,并對其特性進行了研究.（一）系統(tǒng)回顧了
2、半導(dǎo)體量子點理論,并根據(jù)理論結(jié)果對Ⅲ族氮化物納米顆粒的玻爾激子半徑和由不同程度的量子束縛效應(yīng)引起的光譜藍移量進行了計算.（二）通過對氮氣,氨氣和氮氨混合氣體放電等離子體的光譜診斷,得到了有效產(chǎn)生原子態(tài)氮的實驗條件,即當NH<,3>和N<,2>以1/9的比率混合時,在很寬的氣壓范圍內(nèi),其脈沖放電等離子體中都能夠產(chǎn)生較高含量的原子態(tài)的氮.（三）利用高壓脈沖放電的方法,我們合成了InN納米顆粒,其中在氮氨混合氣體中得到了無氧InN的納米顆粒.
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