準一維氮化銦納米半導體的制備和表征.pdf

1、作為一種重要的Ⅲ-Ⅴ族窄禁帶半導體，氮化銦有著優(yōu)良的輸運和電學性能。人們對氮化銦在例如短波長激光器，高效太陽能電池以及高頻/高功率電子器件等許多光電器件方面有著極大的研究興趣。準一維氮化銦納米材料的尺寸效應和維度效應賦予其與塊體材料不同的奇特性能。然而，目前準一維氮化銦納米結構的生長機理尚不明確，缺乏有效控制其生長的制備方法，因此難以根據(jù)光電子器件的性能要求對其結構進行有效調控，也制約了其結構-性能關系、尺寸效應和維度效應的研究。

2、>　　因此，本文主要圍繞準一維氮化銦納米半導體材料的合成、生長機理開展了研究和探討。
　　采用化學氣相沉積法，通過調節(jié)氣流和生長長溫度等參數(shù)，在反應物上得到氮化銦納米線。運用XRD對產物進行分析，明確了樣品為純凈的六方纖鋅礦結構的InN。借助于掃描電子顯微鏡和透射電子顯微鏡技術，表征了產物的形貌和微觀結構，并初步解釋了該產物的生長機理。
　　采用化學氣相沉積方法，嘗試在硅基片上生長氮化銦準一維結構。通過對沉積區(qū)溫度、基片上催