TiO2、SnO2復合納米膜的制備及光生陰極保護性能研究.pdf

1、自從Fujishima小組在1972年發(fā)現TiO2可光解水以來，TiO2就以其良好的光電特性和化學穩(wěn)定性，成為國內外研究的熱點。其中一個重要的應用就是保護金屬材料免受介質環(huán)境的腐蝕，即光生陰極保護作用。所謂光生陰極保護，就是通過半導體膜在光照下，入射光子激發(fā)半導體價帶電子發(fā)生帶間躍遷，即從價帶躍遷到導帶，形成光生電子-空穴對。光生電子向電勢較低的金屬表面遷移，導致金屬表面電子密度增加，宏觀表現為電極電勢降低，甚至遠低于金屬的自然腐蝕電勢

2、，從而使得金屬進入熱力學穩(wěn)態(tài)區(qū)即陰極保護狀態(tài)。此時，TiO2是作為非犧牲性的陽極，不需要消耗電能，可重復使用，這也是TiO2的一條重要優(yōu)點。
　　 然而，光子激發(fā)產生的光生電子-空穴對易于復合，脫離光照后，TiO2的光生陰極保護作用隨之結束。為了克服這一局限性，本文側重于將TiO2與SnO2進行復合半導體改性，抑制光生電子-空穴對的復合，并嘗試不同的復合方式與復合量對改性的影響，尋求一個最佳模式在暗態(tài)下延續(xù)TiO2的光生陰極保護

3、性能。研究內容及成果如下：
　　 1、采用改進的溶膠-凝膠法在室溫下制備TiO2、SnO2及二者的復合溶膠。通過浸漬-提拉技術在304不銹鋼與普通載玻片基體上構筑一定厚度的TiO2納米膜、混合式TiO2-SnO2復合納米膜、疊層式TiO2/SnO2復合納米膜。利用激光粒度分析、X射線衍射(XRD)、掃描電鏡(SEM)、能譜分析(EDS)和紫外-可見光光度計（UV-Vis）等手段對各溶膠和納米膜進行表征。結果表明，各溶膠的粒度分布

4、較窄，無大顆粒的團聚?？砷L期穩(wěn)定存放。各干凝膠在450℃焙燒就具有良好的結晶，所得納米膜成膜性較好?；旌戏◤秃蟂nO2后，復合納米膜的成膜性較純TiO2得到進一步優(yōu)化。
　　 2、應用腐蝕電化學與光電化學方法研究TiO2納米膜及復合納米膜在模擬海水中的光電性能和耐腐蝕行為。開路電位-時間曲線表明單純TiO2納米膜在有光照時，304不銹鋼基體的自腐蝕電位大幅下降，關閉光照后又回升至初始值；動電位極化曲線和電化學交流阻抗譜表明在有紫

5、外光照和無紫外光照下均能很好的保護基體免受腐蝕：有光照時作為光陽極為304不銹鋼基體補償光生電子，基體的光生電位大幅度下降，處于陰極保護區(qū)域，得到電化學保護；無光照時作為物理阻擋層阻礙基體與介質環(huán)境相互作用。但與光生陰極保護相比，保護性能有限。
　　 3、隨著混合式TiO2-SnO2復合半導體中Sn/Ti摩爾比例的增加，表面構筑復合納米膜的304不銹鋼在關閉光源后的自腐蝕電位回升幅度逐漸減小，當Sn/Ti為1：1時，改性效果最佳

6、。由此可看出SnO2在光照情況下儲存了來源于TiO2導帶的光生電子，在無光照時再將這些電子緩慢釋放到基體表面，繼續(xù)使其電勢維持在較低的值。同時，塔菲爾極化曲線和交流阻抗圖譜也表明，隨著Sn/Ti比例的增加，納米膜的抗腐蝕性變好。
　　 4、與純TiO2納米膜、混合式TiO2-SnO2復合納米膜相比，疊層式TiO2/SnO2復合納米膜的光生陰極保護性能最優(yōu)。當底層SnO2為3層時，疊層式TiO2/SnO2復合納米膜的光電防腐性能最