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文檔簡(jiǎn)介
1、在太赫茲(THz)波段應(yīng)用半導(dǎo)體材料作為表面增強(qiáng)拉曼散射(SERS)基底可以獲得很大的SERS增強(qiáng)因子,而大的增強(qiáng)因子有著極好的應(yīng)用前景。本文應(yīng)用FDTD Solutions軟件對(duì)三種不同形貌的半導(dǎo)體材料InAs雙微納量級(jí)的粒子結(jié)構(gòu)模型進(jìn)行了模擬,在THz波的激發(fā)光照射下,其SERS增強(qiáng)因子可達(dá)到1011數(shù)量級(jí)。
本文主要包括以下內(nèi)容:
THz波和拉曼光譜簡(jiǎn)介,THz目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用較少,但是有很大的應(yīng)用前景,拉曼光譜有
2、很多種類(lèi),本文主要研究的是THz波段SERS,有很多的優(yōu)點(diǎn)和廣闊的應(yīng)用前景。
SERS基本原則、增強(qiáng)機(jī)理和SERS基底的介紹,SERS增強(qiáng)機(jī)理主要由電磁場(chǎng)增強(qiáng)和化學(xué)增強(qiáng)組成,由于化學(xué)增強(qiáng)的不確定性和難理論計(jì)算性,本文主要研究電磁場(chǎng)增強(qiáng)機(jī)理,THz波段半導(dǎo)體SERS基底有其更好的特性,可以產(chǎn)生極大的SERS增強(qiáng)因子。
介紹了研究電磁場(chǎng)增強(qiáng)的理論方法:時(shí)域有限差分方法,本文所用仿真模擬軟件FDTD Solutions就是
3、基于時(shí)域有限差分方法。
利用FDTD Solutions軟件模擬了微納數(shù)量級(jí)不同形狀I(lǐng)nAs雙粒子模型在THz激發(fā)光下產(chǎn)生的SERS電場(chǎng)增強(qiáng)情況,通過(guò)電場(chǎng)分布可以得到SERS增強(qiáng)因子和頻率的關(guān)系,發(fā)現(xiàn)4THz-5THz的激發(fā)光可以使InAs雙粒子產(chǎn)生極大的SERS增強(qiáng)因子。
THz波段半導(dǎo)體粒子產(chǎn)生SERS效應(yīng)的應(yīng)用研究,將半導(dǎo)體粒子封裝在單孔光纖中利用其產(chǎn)生的SERS效應(yīng)制作傳感探頭;將半導(dǎo)體粒子通過(guò)光刻技術(shù)周期性
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