基于熒光傳感陣列的氣體檢測(cè)的研究.pdf

1、本文制備了三種基于不同原理的熒光增強(qiáng)基底，基于其中一種基底制備了熒光氣敏傳感陣列，開(kāi)發(fā)出一個(gè)配套的氣體檢測(cè)裝置，用于氣體檢測(cè)分析。具體研究?jī)?nèi)容如下:
　　(1)基于局域表面等離子共振的熒光增強(qiáng)基底，先后通過(guò)真空蒸鍍與自組裝的方法在硅片上制備一個(gè)金膜表面覆蓋二維膠體晶體薄膜再覆蓋金膜的三明治結(jié)構(gòu)，最后在基底表面覆蓋介孔二氧化硅膜用于吸附羅丹明6G。在此基底上得到的熒光強(qiáng)度是對(duì)照組的9倍。
　　(2)基于鋁鏡反射的熒光增強(qiáng)基底，

2、先后通過(guò)真空蒸鍍和旋涂法在硅片上制備一個(gè)鋁膜表面覆蓋厚度為四分之一光波長(zhǎng)的二氧化硅膜的結(jié)構(gòu)，最后在基底表面覆蓋介孔二氧化硅膜用于吸附羅丹明6G。討論了鋁膜厚度、二氧化硅厚度對(duì)羅丹明6G熒光強(qiáng)度的影響，在鋁膜厚度為60nm，二氧化硅厚度為138nm的基底上得到最大熒光強(qiáng)度，強(qiáng)度為對(duì)照組的20倍。
　　(3)基于布拉格衍射的熒光增強(qiáng)基底，以單分散SiO2膠體納米粒子為原料，采用垂直沉積法在玻片上制備十種光子禁帶位置不同的膠體光子晶體薄

3、膜，用核糖填充光子晶體孔隙，最后在表面覆蓋介孔二氧化硅膜用于吸附羅丹明6G。討論了光子禁帶位置、光子晶體膜厚度對(duì)羅丹明6G熒光強(qiáng)度的影響，使用濃度為0.75％的醇溶膠沉積出的光子禁帶位置在595nm的基底表面得到最大熒光強(qiáng)度。
　　(4)基于熒光增強(qiáng)基底的氣敏傳感陣列的制備及氣體檢測(cè)，利用金屬卟啉配合物和有機(jī)熒光染料與氣體反應(yīng)后熒光強(qiáng)度發(fā)生變化的特性，將這些染料滴在基于布拉格衍射的熒光增強(qiáng)基底上，制備成氣敏傳感陣列，設(shè)計(jì)了電子鼻裝