納米孔陣列陽(yáng)極氧化鋁膜的制備與表征.pdf

1、該論文首先對(duì)鋁金屬的物性進(jìn)行了比較詳細(xì)的研究,然后通過(guò)鋁片進(jìn)行陽(yáng)極氧化制備陽(yáng)極氧化鋁膜,接著對(duì)膜進(jìn)行了比較詳細(xì)的結(jié)構(gòu)與形貌表征,證明我們成功制備了納米孔陣列AAM,最后對(duì)這種膜的成膜機(jī)理與影響因素進(jìn)行了深入分析.主要研究成果與結(jié)論如下:(1)鋁片在草酸、硫酸和磷酸等酸性溶液中陽(yáng)極氧化都能得到納米孔陣列AAM膜.在不同陽(yáng)極氧化條件下制備出具有不同孔徑、孔密度、孔深度的納米孔陣列模板.(2)研究了鋁片純度,鋁片熱處理、電解液種類、電解液溫度

2、、陽(yáng)極氧化電壓、陽(yáng)極氧化時(shí)間、擴(kuò)孔時(shí)間等對(duì)制備的AAM中孔的大小、密度、深度的影響關(guān)系,并且提出草酸是制備納米孔陣列AAM的相對(duì)方便與可靠的電解液.從理論和實(shí)驗(yàn)上為制備可人為控制形貌的納米孔陣列AAM模板提供了依據(jù).(3)使用SEM、AFM、XRD對(duì)AAM進(jìn)行表征,結(jié)果表明我們制備的AAM具有有序排布的納米級(jí)的孔陣列結(jié)構(gòu),膜胞呈現(xiàn)六邊形規(guī)則結(jié)構(gòu).陽(yáng)極氧化鋁膜(AAM)具有孔分布均勻等特點(diǎn),是制備形狀高度均勻、有序納米電子材料的理想模板.