一款基于L6562的高功率因數(shù)電路設(shè)計(jì).pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著微電子技術(shù)的進(jìn)步，以新型功率MOS器件為基礎(chǔ)的智能功率集成電路(SPIC)得到了迅速發(fā)展。智能功率集成電路中的功率校正電路也隨著人們對電源諧波污染的關(guān)注而逐漸成為一個(gè)重要的研究對象?，F(xiàn)在的功率因數(shù)校正技術(shù)可以按照無源功率因數(shù)校正和有源功率因數(shù)校正來劃分，前者通常只能將功率因數(shù)提高到95％，而后者可以將功率因數(shù)提高到近似為1。
　　 本文首先概述了PFC技術(shù)的原理和發(fā)展史，然后介紹了幾種基本的APFC電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，接著詳細(xì)介

2、紹了APFC電路控制模式，在此基礎(chǔ)上，通過參考L6562，對芯片中設(shè)計(jì)到的主要功能模塊都進(jìn)行電路設(shè)計(jì)、性能仿真驗(yàn)證。針對APFC控制環(huán)路中誤差放大器帶寬較低的特點(diǎn)，本文在芯片內(nèi)部集成了兩級(jí)輸出過壓保護(hù)電路，能安全及時(shí)地分別處理動(dòng)態(tài)和靜態(tài)過壓狀況；另外芯片內(nèi)部還特別加入了一個(gè)優(yōu)化電路，可以增大功率開關(guān)管在交流輸入電壓過零時(shí)的導(dǎo)通時(shí)間，優(yōu)化輸入交流電流的THD，進(jìn)一步改善功率因數(shù)。
　　 該芯片基于國內(nèi)某公司0.5um BCD工藝模

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