粉末涂敷法制備CuInS2太陽電池光吸收層的研究.pdf

1、具有類黃銅礦結構的CuInS2屬于直接帶隙半導體材料,對可見光的吸收率很高,且對溫度的變化不敏感,禁帶寬度為1.50 eV,接近太陽電池吸收層材料的最佳禁帶寬度(1.45 eV),因而是太陽電池有前景的光吸收層材料之一。
　　 本文采用粉末涂敷法制備CuInS2薄膜。采用兩種方法制備前驅體料漿,一是利用感應熔煉制備的Cu-In合金和單質S粉為原料,兩者混合后研磨得到前驅體料漿,二是利用CuS、In2S3為原料研磨制備前驅料漿。研

2、磨后的料漿涂覆在玻璃襯底形成前驅體膜,前驅體膜在N2氣氛中進行熱處理,最終制備出了單一黃銅相結構、接近化學計量比的CuInS2薄膜。
　　 采用感應熔煉的方法制備Cu-In合金,分析表明其表面是Cu11In9相,內部是Cu11In9和In混合物結構,合金內部不連續(xù)的富Cu區(qū)域和連續(xù)的富In區(qū)域交錯分布。將Cu-In合金和S粉按Cu:In:S為1:1.2:3的比例混合,CuS和In2S3按Cu:In為1:1和1.2:1的比例混合,