旋涂法制備CICS薄膜太陽(yáng)能電池光吸收層.pdf

1、基于中間帶太陽(yáng)能電池的理論轉(zhuǎn)換效率高、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制備成本低等諸多優(yōu)點(diǎn)，吸引了大量的科學(xué)工作者對(duì)其進(jìn)行深入的研究。而直接帶隙半導(dǎo)體材料CuInS2，具有合適的禁帶寬度(1.5eV)、較大的吸收系數(shù)、穩(wěn)定性高、低毒等優(yōu)勢(shì)，成為了最具潛力的薄膜太陽(yáng)能電池的光吸收層材料。本文采用粉末涂敷法，將稀土元素Ce摻雜CuInS2中，旨在制備CuIn1-xCexS2(CICS)中間帶吸收層材料。
　　本實(shí)驗(yàn)利用粉末涂敷法在玻璃襯底上、在不同的轉(zhuǎn)速條

2、件下制備一系列預(yù)制薄膜;并經(jīng)Ar氣氛保護(hù)、不同溫度的快速退火，制備了一系列的CICS薄膜。利用X射線能量色散譜(EDS)、X射線衍射(XRD)、紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)(UV-VIS-NIR)、X射線光電子能譜測(cè)試等表征手段，對(duì)不同工藝條件下制備的薄膜的化學(xué)組分、表面形貌、晶體結(jié)構(gòu)、光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)進(jìn)行表征分析，從而制備出高質(zhì)量的薄膜。
　　研究結(jié)果表明，退火溫度為550℃時(shí)，CuS2的雜相衍射峰完全消失，形成了單一的CIS物相。此時(shí)，(