HLSⅡ儲存環(huán)脈沖四極磁鐵注入系統(tǒng)設計研究.pdf

1、注入系統(tǒng)是儲存環(huán)型同步輻射光源中的關鍵系統(tǒng)之一，注入方式的選擇和注入系統(tǒng)的性能對于光源的性能和表現(xiàn)具有重要影響。束流注入理論的研究、注入系統(tǒng)技術的研究和改進成為同步輻射光源物理設計、光源升級改造研究中的重要內容之一。
　　 論文闡述了環(huán)形加速器的束流注入物理過程，簡單回顧了環(huán)形加速器主要采用的幾種注入方式，介紹了合肥光源采用的四沖擊磁鐵局部凸軌注入系統(tǒng)，分析了局部凸軌注入方式的優(yōu)點與不足。
　　 脈沖多極磁鐵注入方法是近

2、年來儲存環(huán)光源上發(fā)展的一種新穎的注入方式。論文闡述了脈沖四極磁鐵注入方法的設計理論與設計方法，以HLSII儲存環(huán)為研究對象，研究了在HLSII儲存環(huán)上采用脈沖四極磁鐵注入方案的可行性，并進行了設計參數(shù)的優(yōu)化。利用模擬程序數(shù)值模擬了HLSII儲存環(huán)采用脈沖四極磁鐵的束流注入過程，通過對注入過程中注入束流和已儲存束流表現(xiàn)情況的定量分析，表明在HLSII儲存環(huán)采用脈沖四極磁鐵注入系統(tǒng)能夠高效率的完成束流注入過程，同時能夠減小注入過程對儲存束流

3、穩(wěn)定性的影響，改善光源表現(xiàn)。
　　 根據HLSII脈沖四極磁鐵注入系統(tǒng)的設計參數(shù)，論文研究了脈沖四極磁鐵的物理設計。利用OPERA-3D/ELEKTRA/SS/TR軟件定量計算分析了渦流效應對脈沖四極磁鐵的磁場空間分布和時間分布特性的影響，合理選擇脈沖四極磁鐵磁芯材料能夠有效地抑制渦流效應的影響，獲得滿足物理設計要求的脈沖四極磁場。
　　 論文研究表明，HLSII儲存環(huán)采用脈沖四極磁鐵注入方式在物理上和技術上是可行的。相