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文檔簡介
1、隨著科技的飛速發(fā)展,能源問題日益成為人們關(guān)注的焦點。目前使用的能源主要包括石油、天然氣和煤,它們都是非可再生的化石能源,會污染環(huán)境并且導(dǎo)致溫室效應(yīng)。因此,人們迫切希望尋找清潔的可再生的新型能源。而太陽能由于具有清潔、取之不盡、分布廣泛等諸多優(yōu)勢,備受人們關(guān)注。太陽能電池是是直接將太陽輻射能轉(zhuǎn)換成電能的一種裝置,被認為是利用太陽能的最佳方式之一,并且是清潔能源的代表。
長期以來,尋求高轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池材料一直是研究的熱點
2、。目前,InGaN這種直接帶隙的半導(dǎo)體材料,通過改變In組分可使其禁帶寬度從0.77eV(InN)到3.42eV(GaN)連續(xù)可調(diào),并且具有高的電子遷移率和抗輻射能力,因此InGaN太陽能電池中引起了人們密切的關(guān)注。本論文基于InGaN的以上特點,對采用InGaN材料的太陽能電池進行了分析,研究了加入漸變層和多量子阱這兩種結(jié)構(gòu)的電池,并進行了仿真。
對于InGaN組分漸變的應(yīng)用,本文采用了在異質(zhì)結(jié)中加入漸變層的結(jié)構(gòu),設(shè)計了
3、p-GaN/n-InGaN漸變層/n-InGaN太陽能電池。通過與無漸變層的電池的仿真對比,表明對于異質(zhì)結(jié)太陽能電池加入漸變層能夠改善電池的性能,發(fā)現(xiàn)了當In組分為0.61時可以獲得最大的轉(zhuǎn)換效率(可達26.93%)。此外,還發(fā)現(xiàn)了薄的輕摻雜的漸變層可以獲得較高的轉(zhuǎn)換效率。
對于InGaN多量子阱的應(yīng)用,本文采用了在p-i-n中將多量子阱代替本征層的結(jié)構(gòu),設(shè)計了p-InGaN/i-(InGaN/GaN MQW)/n-InG
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