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文檔簡介
1、金屬納米線由于具有奇特的電學(xué)、光學(xué)、磁學(xué)和熱學(xué)性能,在微電子、光電子、催化與傳感器等領(lǐng)域具有潛在的應(yīng)用前景,使其成為近年來研究的熱點。合成金屬納米線的方法眾多,主要可分為軟模板法、硬模板法和無模板法,比較而言,硬模板法中利用多孔氧化鋁模板電化學(xué)沉積制備金屬納米線是比較常用的技術(shù),各種金屬的單晶和多晶納米線都可以通過多孔氧化鋁模板法制備。然而,目前對金屬納米線的生長機(jī)理的研究較少。本論文旨在探索利用多孔氧化鋁模板,在直流電化學(xué)沉積條件下制
2、備金屬納米線的方法,以及研究金屬納米線在較小孔徑的多孔氧化鋁模板內(nèi)生長的機(jī)理。主要研究內(nèi)容有:
(1)多孔氧化鋁模板的制備及影響模板形成有序通道的因素。
(2)利用多孔氧化鋁模板,直流電化學(xué)沉積制備金屬納米線。
(3)討論電化學(xué)沉積條件對金屬納米線晶體生長的影響。
(4)利用金屬納米線陣列,經(jīng)過高溫氧化,制備金屬氧化物納米線陣列。
(5)研究金屬納米線擇優(yōu)(220)晶
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