ZnO納米結(jié)構(gòu)陣列的制備及光電特性.pdf

1、氧化鋅(ZnO)是一種重要的寬禁帶(Eg=3.37ev)半導(dǎo)體材料，其激子束縛能高達(dá)60meV?？煽刂粕L(zhǎng)的ZnO納米陣列被認(rèn)為在太陽(yáng)能電池，光催化領(lǐng)域和紫外光電器件方面具有很好的應(yīng)用前景。
　　 控制納米結(jié)構(gòu)形貌的生長(zhǎng)是ZnO功能應(yīng)用研究中很重要的一部分，海膽狀和中空球狀結(jié)構(gòu)的ZnO納米棒陣列在許多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。本文分別通過(guò)氣相傳輸和水熱法生長(zhǎng)垂直、有序、密集的海膽狀ZnO納米棒陣列，利用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線

2、衍射譜(XRD)、能量色散X射線(EDX)、光致發(fā)光譜(PL)分析了其形貌，晶格結(jié)構(gòu)和元素分布，并進(jìn)一步討論了其生長(zhǎng)機(jī)制。
　　 在過(guò)去的幾年中，許多紫外探測(cè)器是用諸如SiCN，diamond，SiC制作的P-N型和肖特基型的二極管，基于ZnO的紫外探測(cè)器被認(rèn)為在紫外區(qū)域最具有前景。本文中的ZnO納米棒/p型Si異質(zhì)結(jié)紫外探測(cè)器是由低溫水熱法制作出來(lái)的，ZnO納米薄膜/p型NiO納米薄膜異質(zhì)結(jié)紫外探測(cè)器是通過(guò)磁控濺射制備的。伏安