Si基ZnO——維納米結(jié)構(gòu)光伏器件制備及光電性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、ZnO一維納米材料因其優(yōu)異的光電性質(zhì)成為當(dāng)前ZnO材料研究中的熱點(diǎn)之一。本論文分別利用水熱法和化學(xué)氣相沉積法(CVD)制備出高質(zhì)量ZnO納米棒及其陣列結(jié)構(gòu),并對ZnO和ZnO納米棒／Si的結(jié)構(gòu)和光電性質(zhì)進(jìn)行了研究,對ZnO基異質(zhì)結(jié)型光伏器件做了初步的探索。具體研究內(nèi)容如下:
　　 (1)采用CVD法,未使用金屬催化劑,在Si基底上制備了ZnO納米陣列,研究了不同氧流量和生長溫度對ZnO納米結(jié)構(gòu)形貌的影響,并利用XRD、SEM等測

2、試手段,分析了ZnO一維納米陣列的生長機(jī)理,確定適合ZnO一維納米棒陣列生長的參數(shù),初步實(shí)現(xiàn)CVD法制備ZnO一維納米陣列的可控生長。
　　 (2)采用兩步水熱法來制備ZnO一維納米結(jié)構(gòu)。首先采用溶膠——凝膠法在Si襯底上旋涂一層ZnO晶種層；然后利用硝酸鋅／六次甲基四胺的溶液,在涂覆了ZnO晶種層上制備出形貌為六棱柱、端面平整的ZnO納米棒陣列,并通過改變工藝參數(shù),來研究各參數(shù)對制備的ZnO納米棒形貌的影響。
　　 (

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