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文檔簡介
1、sSOI(strained Silicon On Insulator，絕緣體上應(yīng)變硅)結(jié)合了應(yīng)變技術(shù)與SOI技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，一方面提高了載流子的遷移率，另一方面也減小了深亞微米下的各種寄生效應(yīng)?；趶澢I合工藝和Smart-cut技術(shù)的晶圓級單軸應(yīng)變SOI材料具有工藝簡單、遷移率增強(qiáng)幅度大及在垂直高場下不退化等優(yōu)勢，即將成為sSOI研究的熱點(diǎn)。
論文對作為機(jī)械致晶圓級單軸應(yīng)變工藝基礎(chǔ)的離子注入技術(shù)、晶圓直接鍵合技術(shù)、Smart
2、-cut技術(shù)等關(guān)鍵工藝進(jìn)行了深入研究，著重對比研究了晶圓鍵合的機(jī)理以及退火剝離過程中弱化層的作用。建立了在晶圓理想彎曲情況下的晶格失配模型，該模型可用來計算近圓弧彎曲晶圓表面的應(yīng)變程度。
論文利用自行設(shè)計的具有圓弧曲面(R=0.75m)的實(shí)驗(yàn)臺，結(jié)合熱氧化、注H+、200℃下15小時的機(jī)械彎曲鍵合、550℃退火剝離等工藝，成功制備了4英寸P型(100)硅片[110]晶向單軸壓應(yīng)變SOI實(shí)驗(yàn)樣品。
通過HRXR
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