硅基鈮酸鋰薄膜的PLD生長及其性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文探索了用脈沖激光沉積(PLD)技術(shù)生長LiNbO3薄膜。以光波導(dǎo)和聲表面波應(yīng)用作為前提，硅基高質(zhì)量c軸取向薄膜為目標(biāo)，我們分別在Si(111)襯底和采用ZnO作為緩沖層的Si(100)襯底上生長了LiNbO3薄膜，并對襯底溫度、氧壓、激光頻率以及襯底與靶材之間的距離等生長工藝參數(shù)進(jìn)行了系統(tǒng)的研究，初步研究了退火對薄膜晶體質(zhì)量的影響。此外，我們還嘗試了在其它襯底上(Si(100)、玻璃和藍(lán)寶石)生長LiNbO3薄膜，并進(jìn)行了簡要討論和

2、比較。 通過對LiNbO3薄膜生長條件的探索，得出了同時(shí)適用于Si(111)和ZnO/Si兩種襯底生長高質(zhì)量c軸取向LiNbO3薄膜的最優(yōu)條件：襯底溫度約為600℃，氧壓約為30Pa，激光頻率約為3Hz，靶材與襯底距離約為4cm。同時(shí)，我們還研究了ZnO緩沖層厚度對LiNbO3薄膜質(zhì)量的影響。 通過多種測試設(shè)備的分析表明：在最優(yōu)條件下生長的LiNbO3薄膜是一種柱狀的多晶結(jié)構(gòu)，具有良好的c軸擇優(yōu)取向性和結(jié)晶度，表面平整和

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