新型等離子體源的研究.pdf

1、目前國內(nèi)外光學(xué)薄膜制備普遍采用等離子體輔助鍍膜技術(shù)，該項技術(shù)不僅具有節(jié)能、不造成環(huán)境污染的特點，而且在大規(guī)模制造各種高品質(zhì)的光學(xué)薄膜上更具有優(yōu)勢。在薄膜沉積過程中通過離子轟擊，可有效提高薄膜和基片之間的結(jié)合力，使薄膜結(jié)構(gòu)更加致密，可進(jìn)一步提高薄膜的光學(xué)性能和機(jī)械性能。此外，在薄膜沉積過程中通入所需反應(yīng)氣體，反應(yīng)氣體原子在離子源中離化后，可以沉積形成一定化學(xué)配比的薄膜。目前國內(nèi)外利用等離子體輔助沉積光學(xué)薄膜技術(shù)，在大規(guī)模生產(chǎn)紅外、紫外波段

2、窄帶濾光片等高精度光學(xué)薄膜元件中，得到了成功的應(yīng)用。 本文針對寬束冷陰極離子源進(jìn)行了研究，介紹了寬束冷陰極離子源的基本原理，并對寬束冷陰極離子源鍍膜過程中的電荷積累效應(yīng)進(jìn)行了分析。寬束冷陰極離子源引出的離子束宏觀上呈現(xiàn)正電性，在鍍膜過程中正電荷會在絕緣薄膜表面積累，產(chǎn)生的靜電場對后續(xù)離子產(chǎn)生排斥作用，降低離子輔助效果，電荷積累嚴(yán)重時會發(fā)生打火現(xiàn)象，影響薄膜的質(zhì)量。針對這種現(xiàn)象，本文對原有的寬束冷陰極離子源進(jìn)行了改進(jìn)，通過分時引出