低功耗高瞬態(tài)響應(yīng)全集成LDO的設(shè)計(jì).pdf

1、ALOWPOWERmGH—TRANSIENTRESPONSEFULLyⅣTEGRATEDLDODESIGNAThesisSubmittedtoSoutheastUniversityFortheAcademicDegreeofMasterofEngineeringBYFuXiangSupervisedbyProfessor肋JinAndSeniorEngineerShiXunnanSchoolofIntegratedCircuitsSou

2、theastUniversityJune2013摘要摘要隨著片上系統(tǒng)(systemOnaChip，soc)的規(guī)模和集成度越來越高，不同功能模塊需要不同的電源芯片供電，對全集成的電源芯片需求量日益增大。作為電源芯片家族中的重要組成部分，傳統(tǒng)的帶片外電容的低壓差線性穩(wěn)壓器(LowDropoutRegulatorLDO)被廣泛應(yīng)用在多種系統(tǒng)中，但是由于帶片外電容LDO需要大的片外電容，不利于集成，因此，在全集成應(yīng)用系統(tǒng)中采用無電容型的LDO結(jié)

3、構(gòu)更方便。瞬態(tài)響應(yīng)特性是LDO系統(tǒng)設(shè)計(jì)的重要指標(biāo)之一。論文從總結(jié)各種提高瞬態(tài)響應(yīng)性能的LDO結(jié)構(gòu)入手，然后分析LDO電路的關(guān)鍵性能指標(biāo)，闡述了影響電路瞬態(tài)響應(yīng)的因素，最后提出了利用新型跨導(dǎo)運(yùn)算放大器(OperationalTransconductanceAmplifierOTA)調(diào)節(jié)LDO系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方法，實(shí)現(xiàn)高速瞬態(tài)響應(yīng)。同時(shí)利用密勒倍增電容補(bǔ)償法，實(shí)現(xiàn)全負(fù)載范圍內(nèi)的穩(wěn)定?；贑adenceSpectre、Virtuso以及Calibr

4、e仿真工具，并采用SMICO18呻標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝庫，對本文提出的LDO電路結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真驗(yàn)證，并完成電路晶體管級設(shè)計(jì)、前仿、物理版圖設(shè)計(jì)以及版圖后仿。結(jié)果表明，本文設(shè)計(jì)的LDO系統(tǒng)在輸出寄生電容為0～100pF范圍內(nèi)能夠穩(wěn)定，且負(fù)載范圍從空載到最大負(fù)載150mA內(nèi)，都可以穩(wěn)定輸出18V：空載時(shí)靜態(tài)功耗為67pA。負(fù)載電流為80mA時(shí)，線性調(diào)整率為O116％；當(dāng)電源電壓為正常工作電壓33V時(shí)，負(fù)載調(diào)整率為O93％；負(fù)載由0mA向150mA