Si襯底GaN基藍光LED器件性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本論文主要研究了Si襯底GaN藍光LED器件的一些性能：可靠性，結溫特性，I-Ⅴ曲線與其結晶性能關系。得到了如下一些有意義和部分有創(chuàng)新性的研究結果： 1.將Si襯底GaN藍光LED與藍寶石襯底GaN藍光LED樣品在工作電流為20mA時，放在120℃高溫環(huán)境中加速老化3個小時，未見Si襯底GaN藍光LED光強發(fā)生衰減，而藍寶石襯底GaN藍光LED光強有少許衰減，這間接證明了Si襯底GaN藍光LED有良好可靠性。 2.本文首

2、次報道Si襯底GaN基LED的結溫特性，分析指出：和結溫與電流的對應關系相比，用結溫與電流密度更能夠反映器件性能。通過與藍寶石襯底上GaN藍光LED的結溫比較，發(fā)現(xiàn)Si襯底GaN藍光LED有更低的結溫，原因歸結為Si有更好的導熱性。 3.首次報道Si襯底GaN藍光LED的理想因子。首次發(fā)現(xiàn)了理想因子和X射線斜對稱衍射(102)半峰寬有很好的對應關系，理想因子大的樣管，其外延材料(102)衍射半峰寬大，反之亦然。這表明GaN藍光L

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