Ga-,2-O-,3--Mn電致發(fā)光薄膜的制備及其特性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、Y1790652分類號;——UDC:——學校代號:!Q2豎一密級:——學號;Q2Q2Q⑨東南大學碩士學位論文Ga203:Mn電致發(fā)光薄膜的制備及其特性研究研究生姓名:鱉絲太導師姓名:黃蒸薟熬撞申請學位級別塑學科專業(yè)名稱邀皇王堂皇固焦皇至皇論文提交日期2鯉壘壘旦!查縣論文答辯日期2叢生2且蘭Z臣學位授予單位蠢畝太坐學位授予日期2Q塑生縣旦答辯委員會主席至!:蠡壅幽評閱人垂!:紐壘照型掃。承椿‘勃呻勤2005年3月縐曰ABSTRACTWit

2、hthedevelopmentsofelectronicinformation,military,aeronauticandaerospacetechnology,themoredemandsforthedisplaywhichisthemail—machineinterfaceareneedDisplaytechnologywilldevelopgreatinsuchaspectsasfullcolorhighluminescence

3、,hi曲contrast,flatting,lowenergyconsumption,heathandenvironmentprotectingAC(ahematingcurrent)inorganicthin—filmelectroluminescent(TFEL)displaydevice,whichhasmanymeritssuchaSfullsolid,activelight—emissive,wideviewing,rapid

4、respondingandgreatenvironmentadaptability,hasbeengainingmucha“entionEspecially,ACoxidebasedthinfilmelectroluminescentdevice,withgreatthermochemicalstabilitylonglifespan,gooddisplayperformance,willgaingreatapplicationsInt

5、hisdissertation,thedepositionandheat—treatmenttechniqueofGa203:MnphosphorthinfilmusedforTFELdeviceanditsluminescentpropertyhavebeenstudiedThephosphorthinfilmofGa203:MnWasdepositedbyelectronbeamevaporationByrefractiveinde

6、xmeasuringandmicrostructureanalysissuchassuFfacemorphologyandcrystalstructure,therelationsbetweenthemicrostructureandluminescentpropertyofGa20s:MnthinfilmandthedepositionandheattreatmentofGa20s:MnthinfilmWerestudied,thea

7、rtofdepositionandheattreatmentoptimized,themoderateparameterofthedepositionandheat—treatmentofGa203:MnthinfilmdeterminedGa203:MnthinfilmelectroluminescentdevicestakingBaTi03ceranucassubstrate,whichhasbetterluminescentpro

8、perty,weremadeResearchresultsshowthatheat—treatmenttemperaturehasimportanteffectoncrystalstructureandorientationoftheGaze3:Mnt11infilmwiththeheat—treatmenttemperatureincreasing,thecrystallizationofGa203:Mnthinfilmincreas

9、egradually,anditscrystalstructurechargesfromnoncrystallinetopolycrystalline,frommixedcrystalstructurecomposedofmonoclinic,hexagonalandcubiccrystalsystemswhentheheattreatmenttemperatureislowtomonoclinicstructuregradually1

10、11ecolorofthelightemittingfromGa20CVlnTFELdeviceisgreenThemainpeaksoftheemittingspectrumliemainlybetween490nmand535nmWiththeincreasingofdrivingvoltages,theblueshiftofspectralpeaksisobserved111eluminescencepropertyofGas03

11、:Mn刪device,isnotonlyrelatedtothecrystallizationofGa203:MnthinfilmphosphorbutalsodependmainlyonitscrystalstructureandorientationKeywords:Ga203:Mn;thinfilmelectroluminescent;electronbeamevaporation;crystalstructure;surface

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