氨化Si基Ga-,2-O-,3--Ta薄膜制備一維GaN納米結(jié)構(gòu)研究.pdf

1、山東師范大學(xué)碩士學(xué)位論文氨化Si基GaOTa薄膜制備一維GaN納米結(jié)構(gòu)研究姓名：李紅申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專(zhuān)業(yè)：微電子學(xué)與固體電子學(xué)指導(dǎo)教師：薛成山20080408山東師范大學(xué)碩士學(xué)位論文的GaN；氨化溫度、氨化時(shí)間和Ta薄膜的厚度都對(duì)一維GaN納米結(jié)構(gòu)的結(jié)晶質(zhì)量和形貌產(chǎn)生很大的影響。隨著氨化溫度的升高，GaN納米結(jié)構(gòu)的直徑先減小并有棉絮狀晶體生成，后來(lái)直徑又增大且表面趨于相對(duì)光滑；納米結(jié)構(gòu)的結(jié)晶質(zhì)量也逐漸提高。其中，退火溫度為1000℃時(shí)

2、，樣品的結(jié)晶質(zhì)量和表面形貌最佳。但是，當(dāng)溫度繼續(xù)升高(高于1000℃)，氮化鎵納米線的數(shù)量會(huì)減少并且結(jié)晶質(zhì)量也會(huì)下降。從氨化時(shí)間上看，10min所得結(jié)果相對(duì)較好。另外選用不同的中間層厚度，發(fā)現(xiàn)得到的納米結(jié)構(gòu)形貌各異，說(shuō)明中間層的厚度對(duì)一維GaN納米結(jié)構(gòu)的合成也有很大的影響。GaN納米結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)機(jī)制可初步歸結(jié)為氣體一液體一固體(VLS)生長(zhǎng)機(jī)制，其中高溫下Ta薄膜在高溫下會(huì)破裂并會(huì)在Si襯底上形成納米液滴，對(duì)GaN納米線的生長(zhǎng)起到重要作用