基于HPM器件的二次電子倍增效應(yīng)的模型建立及特性研究.pdf

1、隨著近幾年科學(xué)技術(shù)的不斷進(jìn)步，各行各業(yè)對高功能率微波的需求越來越多，因此對其性能要求也在不斷提高，隨著對其諸如輸出功率，輸出頻率、能量等指標(biāo)要求的不斷提高，高功率微波技術(shù)的發(fā)展也會出現(xiàn)一些新的問題需要我們?nèi)ソ鉀Q。在這些問題中主要包含脈沖縮短和饋源介質(zhì)窗擊穿問題。研究發(fā)現(xiàn)二次電子倍增是引起脈沖縮短、饋源介質(zhì)窗擊穿的最主要原因，因此對二次電子倍增效應(yīng)的研究具有很重要的理論研究和實(shí)際應(yīng)用價值，通過研究，掌握其產(chǎn)生原因，變化規(guī)律等特性，可以很好

2、的解決上述兩個問題，突破制約高功率微波源技術(shù)向高功率、高效率發(fā)展的瓶頸，從而可以更好的推動高功率微波技術(shù)的發(fā)展。
　　 在高功率微波源器件的波束相互作用腔中，一般有射頻場、聚焦磁場和空間電荷，空間電荷產(chǎn)生的靜電場與空間電荷形成自洽相互作用。在以往的研究中往往忽略了磁場的作用，并且空間靜電場以常數(shù)來處理。本論文以磁絕緣傳輸線振蕩器(MILO)的結(jié)構(gòu)為例，在考慮由內(nèi)部電流產(chǎn)生的聚焦磁場、空間電荷場和空間電荷相互作用基礎(chǔ)上，首先計算分