二次電子發(fā)射的研究和二次電子發(fā)射系數(shù)的測(cè)量.pdf

1、隨著電子技術(shù)的發(fā)展，二次電子發(fā)射得到愈來(lái)愈廣泛的應(yīng)用，因此，二次電子發(fā)射現(xiàn)象引起了人們的極大的興趣，人們對(duì)各種物質(zhì)二次電子發(fā)射的特性、機(jī)理和應(yīng)用進(jìn)行了廣泛深入的研究，由于二次電子發(fā)射是一個(gè)比較復(fù)雜的物理過(guò)程，人們對(duì)二次電子發(fā)射的研究還不夠，本論文將從實(shí)驗(yàn)和理論兩方面對(duì)二次電子發(fā)射進(jìn)行研究。 本論文首次提出了“有效真二次電子發(fā)射系數(shù)”的概念，并分別推導(dǎo)出高能原電子能量與金屬的有效真二次電子發(fā)射系數(shù)的關(guān)系式和金屬的有效真二次電子發(fā)射

2、系數(shù)與高能原電子入射角的關(guān)系時(shí)，然后用以前的科技工作者的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)對(duì)高能原電子能量與金屬的有效真二次電子發(fā)射系數(shù)的關(guān)系式進(jìn)行了驗(yàn)證。 本論文論述了屬于同一個(gè)能區(qū)的入射較高能原電子對(duì)金屬的射程的能量?jī)绱闻c入射能量、金屬的有效真二次電子發(fā)射系數(shù)的關(guān)系式，用以前的科技工作者的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分別算出了屬于兩個(gè)能兩段的較高能的原電子對(duì)金或鋁的射程的能量?jī)绱?，最后?duì)結(jié)果進(jìn)行了討論；本論文介紹了計(jì)算同一個(gè)能區(qū)高能原電子對(duì)金屬平均射程的常數(shù)的方法，然后

3、用以前的科技工作者的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分別算出了屬于兩個(gè)能區(qū)的高能原電子對(duì)金的平均射程的常數(shù)，并用以前的科技工作者的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)算出了屬于同一個(gè)能區(qū)的高能原電子對(duì)鋁的平均射程的常數(shù)，最后對(duì)結(jié)果進(jìn)行了討論；本論文介紹了計(jì)算屬于同一個(gè)能區(qū)原電子對(duì)金屬發(fā)射體的沿程能量損失的方法，然后用以前的科技工作者的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)分別算出了六個(gè)不同能量的高能原電子對(duì)金屬發(fā)射體的沿程能量損失，并用以前的科技工作者的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)算出了三個(gè)不同能量的高能原電子對(duì)金屬鋁發(fā)射體的沿程能量損

4、失，最后對(duì)結(jié)果進(jìn)行了討論。本論文指出逸出深度是決定二次電子發(fā)射材料的二次電子發(fā)射系數(shù)的最重要的一個(gè)因數(shù)，介紹了延長(zhǎng)負(fù)電子親和勢(shì)二次電子發(fā)射材料砷化鎵的逸出深度的設(shè)計(jì)，然后對(duì)兩種負(fù)電子親和勢(shì)二次電子發(fā)射材料的二次電子發(fā)射系數(shù)的理論值進(jìn)行了比較并得出：當(dāng)原電子入射能量較低時(shí)，兩種二次電子發(fā)射材料的二次電子發(fā)射系數(shù)的差值較小，當(dāng)原電子入射能量較高時(shí)，兩種二次電子發(fā)射材料的二次電子發(fā)射系數(shù)的差值較大，而且隨著原電子入射能量的升高，兩種二次電子發(fā)

5、射材料的二次電子發(fā)射系數(shù)的差值也在增大。最后進(jìn)行了討論。 本論文分別敘述了多種測(cè)量金屬材料和絕緣體材料的二次電子發(fā)射系數(shù)的測(cè)量方法和簡(jiǎn)易測(cè)量裝置，然后根據(jù)我們實(shí)驗(yàn)的條件和實(shí)驗(yàn)要求，分別研制了能測(cè)量金屬材料和絕緣體材料的二次電子發(fā)射系數(shù)的測(cè)量裝置并分別測(cè)量了幾個(gè)金屬材料和絕緣體材料的二次電子發(fā)射系數(shù)，取得了較好的測(cè)量結(jié)果。 我國(guó)對(duì)二次電子發(fā)射的研究還處于初步階段，本論文從理論方面對(duì)金屬的二次電子發(fā)射進(jìn)行了一些定量研究并分別