砷化鎵高速專用集成電路設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著電子信息技術的飛速發(fā)展,更高的信息容量和傳輸速率要求半導體器件的工作頻率進一步提高.人們通過多年探索找到了新的第二代半導體材料-(GaAs).GaAs 中的電子遷移率是Si中電子遷移率的6倍,其電子峰值漂移速度是Si的2倍,因此,GaAs器件具有比Si更優(yōu)越的性能.在射頻系統(tǒng)中,射頻開關位于一個咽喉部位,其性能的好壞直接影響射頻系統(tǒng)的性能.實際的RF開關的設計中,為了追求更高的速度,更小的插入損耗和更高的隔離度,以及更高的功率能力,

2、通常采用的方法就是串并聯(lián)結合使用的方式;還有就是采用新穎的器件技術如LDD技術進行高性能器件的設計;采用反饋的技術得到更高的功率能力;以及如何將負的控制電壓變?yōu)檎目刂齐妷?以及盡量的減少控制電壓的數(shù)量.文章通過對幾種RF射頻開關設計的比較分析,提出了高隔離度和低插入損耗的RF開關的設計思路.此外,基于對Ⅲ-Ⅴ族化合物GaAs電路設計技術的學習,文章設計了基于BFL邏輯的用于通信系統(tǒng)的分頻器.通過對分頻器輸入級的分析和比較,將兩種輸入模

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