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1、本文重點(diǎn)對(duì)ASIC電路的測(cè)試?yán)碚?，如測(cè)試向量生成、可測(cè)性設(shè)計(jì)技術(shù)、結(jié)構(gòu)測(cè)試和功能測(cè)試方法等進(jìn)行了研究和歸納總結(jié)，對(duì)國(guó)內(nèi)外比較有爭(zhēng)議的結(jié)構(gòu)測(cè)試和功能測(cè)試的有效性和實(shí)現(xiàn)方法、具體測(cè)試過(guò)程中的高速和低速方式的區(qū)別進(jìn)行了闡述，提出了自己的見解和看法，在ASIC電路測(cè)試解決方案中，提出了基于集成電路測(cè)試系統(tǒng)和失效分析的ASIC芯片的測(cè)試流程，總結(jié)闡述了滿足ASIC電路測(cè)試的測(cè)試系統(tǒng)的架構(gòu)與特點(diǎn)，把設(shè)計(jì)和測(cè)試作為一個(gè)完整的環(huán)節(jié)鏈接起來(lái)，并對(duì)目前高端
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