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文檔簡(jiǎn)介
1、在半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)中,固晶機(jī)的吸晶裝置起到非常重要的作用,如何實(shí)現(xiàn)吸晶工藝穩(wěn)定、高質(zhì)量保證和高效率協(xié)同是一個(gè)重要課題。目前國(guó)外對(duì)吸晶工藝涉及的大量參數(shù)和精密機(jī)構(gòu)的設(shè)計(jì)問(wèn)題已有較為深入的研究,并且已經(jīng)在參數(shù)敏感度和重要性的排列方面有了共識(shí)?;谖覈?guó)起步較晚,關(guān)鍵技術(shù)掌握不足,缺乏工藝的數(shù)據(jù)積累,加上國(guó)外技術(shù)封鎖,有必要對(duì)吸晶工藝參數(shù)范圍設(shè)定進(jìn)行深入研究。本文將對(duì)吸晶工藝展開研究,分析影響封裝質(zhì)量的關(guān)鍵參數(shù),從而合理優(yōu)化參數(shù)匹配,為以后的質(zhì)量
2、和效率影響規(guī)律分析奠定基礎(chǔ)。
本文針對(duì)固晶機(jī)吸晶過(guò)程的頂取機(jī)構(gòu),利用有限元分析方法,對(duì)該機(jī)構(gòu)進(jìn)行動(dòng)態(tài)和靜態(tài)分析;通過(guò)田口方法設(shè)立正交試驗(yàn)組分析參數(shù)間的相互影響;通過(guò)加速度試驗(yàn)建立晶圓吸取與頂取系統(tǒng)的數(shù)學(xué)模型,并探討晶圓被頂取時(shí),工藝參數(shù)對(duì)晶圓的動(dòng)態(tài)效應(yīng);設(shè)立優(yōu)化目標(biāo)函數(shù),對(duì)頂出結(jié)構(gòu)的運(yùn)動(dòng)特性進(jìn)行分析;通過(guò)遺傳算法選取約束條件下的頂針?biāo)俣茸顑?yōu)值,進(jìn)而對(duì)重要參數(shù)的進(jìn)行合理匹配。
本文通對(duì)晶片吸取過(guò)程的研究,確定了噴射速度
3、、頂針高度、真空壓力和吸嘴壓力等重要的參數(shù)因素,指出了其對(duì)合理設(shè)定工藝參數(shù)、提高質(zhì)量和合格率的重要作用;利用固連失效接觸碰撞模型,再現(xiàn)頂針與膠帶碰撞和膠帶與晶片剝離過(guò)程;通過(guò)加速度試驗(yàn)建立了晶圓吸取與頂取的數(shù)學(xué)模型,并得出頂出結(jié)構(gòu)的運(yùn)動(dòng)特性,利用模擬速度量測(cè)推斷其對(duì)晶圓破損影響的強(qiáng)弱,進(jìn)而針對(duì)不同的邊界條件得出加速速度與接觸力之間的關(guān)系;在合理選取約束條件下,經(jīng)由遺傳算法得出頂針?biāo)俣鹊淖顑?yōu)值,實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵工藝參數(shù)的最優(yōu)匹配,使得粘接工藝的可
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