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1、信息技術(shù)的飛速發(fā)展要求存儲(chǔ)器必須具有存儲(chǔ)密度高、速度快、不揮發(fā)和能耗低等特點(diǎn)。目前的主流存儲(chǔ)技術(shù)Flash以其讀寫(xiě)速度慢、擦寫(xiě)次數(shù)相對(duì)較少和制備工藝瓶頸的局限不再適合未來(lái)存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展要求?;诹蛳祷衔锏南嘧兇鎯?chǔ)器(Phase—changeRandomAccessMemory,簡(jiǎn)稱PRAM)具有不揮發(fā)性、循環(huán)壽命長(zhǎng)(大于1012次)、功耗低、讀寫(xiě)速度快、抗輻射以及和現(xiàn)有的CMOS工藝兼容等優(yōu)點(diǎn),成為當(dāng)前存儲(chǔ)器領(lǐng)域的研發(fā)熱點(diǎn)。
2、盡管相變存儲(chǔ)技術(shù)在近幾年取得了飛速發(fā)展,但是器件Reset電流過(guò)大一直是阻礙其商業(yè)化的主要問(wèn)題之一。當(dāng)前解決Reset電流過(guò)大的研究主要集中在兩個(gè)方面:一方面是縮小存儲(chǔ)單元的尺寸,減小相變區(qū)域相變部分的體積,由此我們引入納米技術(shù),研究制備出適合PRAM的相變納米材料,可以減小器件儲(chǔ)存單元的幾何尺寸,從而實(shí)現(xiàn)PRAM的高密度儲(chǔ)存;另一方面是開(kāi)發(fā)新型相變存儲(chǔ)材料,優(yōu)化材料性能。 本文從制備適合PRAM的相變納米材料方面著手,采用水熱
3、法制備出Sb2S3和Sb2Se3納米棒;在開(kāi)發(fā)新型相變存儲(chǔ)材料方面,制備出Ge—Bi—Te(GBT)系列塊體材料。主要研究?jī)?nèi)容與結(jié)果如下: (1)以SbCl3和Na252O3為反應(yīng)物,用水熱合成法成功的制備了直徑約100~500nm,長(zhǎng)為幾十微米的單晶納米棒。通過(guò)EDS、SEM、XRD和TEM對(duì)產(chǎn)物的成份、形貌和結(jié)構(gòu)分析顯示納米棒是Sb2S3化合物,屬正交晶系,晶體沿[001]方向生長(zhǎng),在此基礎(chǔ)上對(duì)納米棒的形成機(jī)理和相關(guān)性能進(jìn)行
4、了研究。 (2)以SbCl3和Na2Se2O3為反應(yīng)物,以氨水為溶液的PH值調(diào)節(jié)劑,聚乙烯醇為表面活化劑,采用水熱合成法成功的制備了直徑約200nm,長(zhǎng)為幾十微米整齊均一的納米棒,樣品的XRD分析顯示,納米棒為正交晶系的Sb2Se3晶體。此外就反應(yīng)溫度、時(shí)間和溶液PH值等對(duì)納米棒形貌的影響進(jìn)行了分析,并對(duì)產(chǎn)物的形成機(jī)理和相關(guān)性能做了初步的探究。 (3)采用固相反應(yīng)法合成了Ge—Bi—Te系列塊體材料。對(duì)所合成的Ge—Bi
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