無源超高頻電子標簽芯片新型架構與設計.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、超高頻無源識別技術即將迎來市場蓬勃發(fā)展期,而被國際標準組織納為其ISO18000-6修正標準Type C協(xié)議的EPC global Classl Gen2協(xié)議,成為現(xiàn)今超高頻無源識別技術的事實標準。日漸統(tǒng)一的協(xié)議與日趨成熟的市場推動著超高頻無源標簽應用的興起。
   本文從超高頻段無源標簽的工作原理和通信協(xié)議出發(fā),詳細分析了ISO18000-6 Type C協(xié)議的特點,并結合本人參與設計并流片成功的芯片,分析了基于Type C協(xié)

2、議設計的標簽芯片的常見架構與設計中的難點。本文針對普通架構中的存在的問題,結合現(xiàn)在超高頻無源電子標簽研究的新進展,提出了一種新型的標簽芯片架構,并就此架構給出了一個標簽芯片射頻模擬部分的設計實例。本文還就創(chuàng)建低電壓低功耗數(shù)字標準單元庫進行了分析,給出了基于Chartered0.35um工藝設計1.8V電源電壓數(shù)字標準單元庫的建立方法。
   本文創(chuàng)新性的提出了一種新型的標簽芯片的架構;提出了信號處理模塊的概念,其中包含了阻抗自適

3、應網(wǎng)絡,調(diào)制與解調(diào),低功耗模擬方法解碼等功能,不僅提供了更高的性能穩(wěn)定性,還進一步降低了標簽的功耗,其中解碼部分的功耗從同步解碼的10uA降低到了模擬解碼的不到300nA。本文還對射頻模擬前端的其它模塊給出了詳細的分析實現(xiàn),其中解調(diào)模塊、預穩(wěn)壓模塊都使用本文提出的新型結構并有更優(yōu)良的性能表現(xiàn)。基于Chartered0.35um EEPROM工藝1.8V數(shù)字電源電壓設計的該芯片,包含解碼功能的射頻模擬前端瞬態(tài)平均功耗(包括解調(diào)整流器功耗)

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