已閱讀1頁(yè)，還剩55頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀
版權(quán)說(shuō)明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡(jiǎn)介
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫(kù)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 直拉硅單晶典型生長(zhǎng)過(guò)程的熱場(chǎng)數(shù)值模擬研究.pdf
- 直拉硅單晶工藝參數(shù)對(duì)熱場(chǎng)的影響研究.pdf
- 直拉硅單晶生長(zhǎng)Cusp磁場(chǎng)的研究.pdf
- 直拉硅單晶中微缺陷演變的相場(chǎng)模擬研究.pdf
- 直徑300mm硅單晶生長(zhǎng)過(guò)程的熱場(chǎng)模擬.pdf
- 工藝參數(shù)對(duì)硅單晶直拉過(guò)程影響的數(shù)值模擬研究.pdf
- 直拉硅單晶生長(zhǎng)界面生成、演變及控制方法研究.pdf
- 直拉硅單晶中空洞型缺陷演化行為的相場(chǎng)模型及其模擬研究.pdf
- 碳化硅單晶生長(zhǎng)爐內(nèi)感應(yīng)加熱及氬氣流場(chǎng)的數(shù)值模擬.pdf
- 多場(chǎng)耦合下直拉硅單晶熔體流動(dòng)與傳熱研究.pdf
- 直拉硅單晶的快速熱處理（RTP）研究.pdf
- 摻鍺直拉硅單晶中缺陷的研究.pdf
- 直拉硅單晶的氧沉淀及內(nèi)吸雜的研究.pdf
- 直拉硅單晶中氧沉淀的熟化.pdf
- 高拉速低能耗φ200mm直拉硅單晶熱場(chǎng)的設(shè)計(jì)與分析.pdf
- 直拉硅單晶壓痕位錯(cuò)的運(yùn)動(dòng).pdf
- 大直徑區(qū)熔硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備電磁場(chǎng)及溫度場(chǎng)的數(shù)值模擬與實(shí)驗(yàn)研究.pdf
- 區(qū)熔硅單晶生長(zhǎng)技術(shù)中熔區(qū)的數(shù)值模擬與研究.pdf
- 泡生法藍(lán)寶石單晶生長(zhǎng)的熱場(chǎng)分析與數(shù)值模擬研究.pdf
- 勾形磁場(chǎng)中直拉硅單晶的模擬與磁場(chǎng)參數(shù)優(yōu)化.pdf
評(píng)論
0/150
提交評(píng)論