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1、GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)以其輸出功率密度大、工作電壓高和輸出阻抗高等特點(diǎn),在微波通信、雷達(dá)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景?;贕aN的單片微波集成電路(MMIC)具有高工作電壓、高輸出功率、頻帶寬、損耗小、效率高、體積小、抗輻照等特點(diǎn),已成為當(dāng)前發(fā)展各種高科技武器的重要支柱,并廣泛的用于軍事和商業(yè)。但我國(guó)的MMIC產(chǎn)業(yè)與發(fā)達(dá)國(guó)家相比起步較晚,與國(guó)外的技術(shù)水平的差距比較大。在這種背景下我們對(duì)GaN單片微波集成功率放大器進(jìn)行了研究。<
2、br> 本論文基于單片微波集成功率放大器的設(shè)計(jì)原理,將GaN HEMT大信號(hào)模型內(nèi)嵌到ADS軟件系統(tǒng),通過(guò)集總元件對(duì)器件進(jìn)行L型匹配,建立GaN MMIC電路。在設(shè)計(jì)過(guò)程中,使用HFSS軟件對(duì)集總元件進(jìn)行電磁仿真,詳細(xì)的分析了2DEG對(duì)集總元件的影響,并對(duì)器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化。在優(yōu)化好器件結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)之上對(duì)無(wú)源元件的大小、布局、走線進(jìn)行仿真,導(dǎo)出其S參數(shù),以s2p文件形式帶入ADS中,進(jìn)行系統(tǒng)的仿真和優(yōu)化。在ADS的仿真中,為了減小無(wú)源
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