K摻雜SnO2和V摻雜ZnO稀磁半導(dǎo)體粉末的結(jié)構(gòu)和磁性研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁,還剩63頁未讀 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

1、稀磁半導(dǎo)體(DMSs)是指在非磁性半導(dǎo)體材料基體(通常是AB)中通過摻入少量磁性過渡族金屬元素或稀土金屬元素使其獲得鐵磁性能的一類新型功能材料。目前,在DMSs材料中發(fā)現(xiàn)了許多新的物理現(xiàn)象,如巨法拉第效應(yīng)、巨塞曼分裂、反常霍爾效應(yīng)、巨負磁阻效應(yīng)、磁致絕緣體金屬轉(zhuǎn)變等。利用這些效應(yīng),可以制備出各種新型功能器件,為一些科技的發(fā)展提供條件。因此,這種新型材料的研究倍受人們的關(guān)注。
   本文利用溶膠.凝膠法成功地制備出了一系對K-Sn

2、O2和V-ZnO稀磁半導(dǎo)體納米粉末。利用X射線衍射儀(XRD)、透射電鏡(TEM)、X射線光電子能譜(XPS)及物理性能測試儀(PPMS-9)中的樣品振動磁強計(VSM)對樣品的結(jié)構(gòu)和磁性進行了表征。
   在K-SnO2體系中,所有樣品均為二氧化錫金紅石結(jié)構(gòu),顆粒大小約幾個納米;K元素以+1價存在;樣品具有室溫鐵磁性,且飽和磁化強度隨著摻雜濃度的增大而增強。將K摻雜濃度為4%的樣品和純SnO2樣品在氧氣下退火后,摻雜K的樣品仍

3、然具有室溫鐵磁性,因此氧空位不是引起鐵磁性的主要來源。當(dāng)一個K元素取代一個Sn的位置時,由于K、Sn化合價的不同,將會產(chǎn)生3個陰離子空穴,陽離子可以通過這些空穴發(fā)生間接交換作用,從而導(dǎo)致鐵磁性,具體磁學(xué)機理可以用RKKY模型來解釋。
   在V-ZnO體系中,V摻雜濃度低于5%時,樣品具有氧化鋅纖鋅礦多晶結(jié)構(gòu),顆粒尺寸在二三十個納米左右;V元素的化合價為+5價;樣品呈現(xiàn)室溫鐵磁性,且樣品的飽和磁化強度隨著V摻雜濃度的增大而增強,

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評論

0/150

提交評論