CdS-CdTe多晶薄膜及其化合物半導(dǎo)體太陽電池的研究.pdf

1、四川大學(xué)博士學(xué)位論文CdSCdTe多晶薄膜及其化合物半導(dǎo)體太陽電池的研究姓名：黎兵申請學(xué)位級別：博士專業(yè)：材料物理與化學(xué)指導(dǎo)教師：馮良桓20041201摘要果：進(jìn)而選用最好的配方形式(低濃度溶液)在三種TCO襯底(載玻片、ITO玻片和SnO。玻片)上沉積CdS多晶薄膜。2，在CBD法中，由于襯底的表面租糙程度的不同，對CdS薄膜的吸附效果差異較大，其中以最粗糙的sn02玻片襯底效果最佳，沉積膜埕均勻密實(shí)，其次為玻片、ITO玻片。值得一提

2、的是，沉積在ITO玻片上的CdS膜多呈六方相，而沉積在玻片上的CdS膜多呈立方相；然而，采用真空蒸發(fā)法制備的CdS薄膜，無論襯底是玻片，還是ITO玻片，其沉淀相均為六方相。3通過比較CBD法和真空蒸發(fā)法，在不同襯底上沉積的CdS薄膜的結(jié)構(gòu)、形貌及性能的差異，我們最終采用CBD法在SnO：玻片襯底上成功地制備出性能優(yōu)良的CdS多晶薄膜，膜厚控制在800、1500A。4對CdS多晶薄膜進(jìn)行退火，是CdS／CdTe多晶薄膜太陽電池制備過程中的

3、一個(gè)環(huán)節(jié)。通過對比有無CdCl，退火的情況，發(fā)現(xiàn)CdCl。促進(jìn)了晶體結(jié)構(gòu)的變化和雜峰的出現(xiàn)。退火后，CdS的立方相被破壞，透過率降低?；谝陨系难芯?，我們現(xiàn)在的正規(guī)電池制各過程中已取消了對CdS薄膜的熱處理這～步驟。5在制備CdTe薄膜的近空間升華(CSS)法中，需要使用CdTe源。通常使用CdTe／石英源。由于大面積的平整石英加工較為困難，我們擬用石墨代替石英做源片。本文使用CdTe／石墨源代替CdTe／石英源，為后期的大面積制備打下

4、基礎(chǔ)?，F(xiàn)已用CdTe／石墨源成功地制備出優(yōu)良的CdTe多晶薄膜和較高效率(超過123％)的太陽電池。6使用CSS法制各CdTe多晶薄膜的原理在于，CdTe在一定溫度下的升華和凝華過程。本文確定了CdTe在2kPa的氧氬氣氛下，其升華溫度在4704C左右，并由此修正了長期以來沉積速率計(jì)算上的偏差。7確定了CdS在2kPa的氧氫氣氛下。其升華溫度在6306C左右，從而確定當(dāng)源上的CdTe升華分解為Cd、Te：時(shí)，襯底上的CdS仍然穩(wěn)定。8從