制備PLT鐵電薄膜的新技術(shù)—LSMCD.pdf

1、LSMCD（Liquid Source Misted Chemical Deposition）技術(shù)是一種新型的制備鐵電薄膜的技術(shù),它繼承了甩膠工藝的優(yōu)點(diǎn),同時又有效地解決了甩膠工藝的缺點(diǎn),因而是一種較MOD和Sol-Gel工藝先進(jìn)的薄膜制備技術(shù).該文詳細(xì)介紹了LSMCD技術(shù)的基本原理和設(shè)備改進(jìn).LSMCD基本原理為：將先體溶液以一定比例用溶劑稀釋成為初始溶液,放入霧化容器中,然后采用超聲霧化產(chǎn)生微米級或次微米級尺寸的氣霧;再由載氣將氣霧

2、引入沉積室內(nèi),沉積在基片上;然后在沉積室中進(jìn)行預(yù)熱處理;重復(fù)此過程直至膜達(dá)到所需厚度,最后再進(jìn)行退火處理.我們依據(jù)現(xiàn)有的設(shè)備水平和可達(dá)到的改進(jìn)能力,設(shè)計并改進(jìn)了設(shè)備以實現(xiàn)LSMCD技術(shù),經(jīng)過大量實驗證明該設(shè)備能夠正常工作.最終我們采用LSMCD技術(shù),以MOD工藝先體溶液稀釋為初始溶液,制備了PLT（鑭鈦酸鉛）鐵電薄膜,通過XRD分析,制備的薄膜具有鈣鈦礦相結(jié)構(gòu).LSMCD技術(shù)制備PLT鐵電薄膜的最佳熱處理工藝為：預(yù)處理300℃,保溫10