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文檔簡介
1、鐵電薄膜材料的鐵電性質(zhì)及其在存儲器方面的應(yīng)用,尤其是在非揮發(fā)性鐵電存儲器(FRAM)中的應(yīng)用,近年來一直是許多材料研究人員關(guān)注的焦點之一.該文針對目前研制FRAM的兩種主要存儲材料Pb(Zr<,x>Ti<,1-x>)O<,3>(鋯鈦酸鉛,簡寫為PZT)、SrBi<,2>Ta<,2>O<,9>(鉭酸鍶鉍,簡寫為SBT)薄膜的制備與性能研究以及SBT陶瓷耙的制備進行了一定的探索.采用射頻磁控濺射法制備PZT薄膜,通過分析晶化工藝以及膜厚對薄
2、膜微結(jié)構(gòu)與鐵電性能的影響,研究PZT薄膜的晶化工藝與性能之間的關(guān)系.在該實驗下得到薄膜的優(yōu)化工藝:膜層不小于300nm時,晶化溫度在600℃~700℃之間,適當延長保溫時間(>5min)可獲得取向度較高、成膜質(zhì)量更好以及電性能更優(yōu)的薄膜樣品.并在此基礎(chǔ)上初步探討影響薄膜外延生長的"生長控制"理論.另外,少量PZT納米粉體的摻雜可獲得高度晶粒取向的SBT陶瓷.采用MOD法制備的SBT薄膜,發(fā)現(xiàn)氧環(huán)境及沉積方法對SBT薄膜的織構(gòu)和鐵電性能影
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