FRAM用鐵電薄膜的制備與性能研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩74頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、鐵電薄膜材料的鐵電性質(zhì)及其在存儲器方面的應(yīng)用,尤其是在非揮發(fā)性鐵電存儲器(FRAM)中的應(yīng)用,近年來一直是許多材料研究人員關(guān)注的焦點之一.該文針對目前研制FRAM的兩種主要存儲材料Pb(Zr<,x>Ti<,1-x>)O<,3>(鋯鈦酸鉛,簡寫為PZT)、SrBi<,2>Ta<,2>O<,9>(鉭酸鍶鉍,簡寫為SBT)薄膜的制備與性能研究以及SBT陶瓷耙的制備進(jìn)行了一定的探索.采用射頻磁控濺射法制備PZT薄膜,通過分析晶化工藝以及膜厚對薄

2、膜微結(jié)構(gòu)與鐵電性能的影響,研究PZT薄膜的晶化工藝與性能之間的關(guān)系.在該實驗下得到薄膜的優(yōu)化工藝:膜層不小于300nm時,晶化溫度在600℃~700℃之間,適當(dāng)延長保溫時間(>5min)可獲得取向度較高、成膜質(zhì)量更好以及電性能更優(yōu)的薄膜樣品.并在此基礎(chǔ)上初步探討影響薄膜外延生長的"生長控制"理論.另外,少量PZT納米粉體的摻雜可獲得高度晶粒取向的SBT陶瓷.采用MOD法制備的SBT薄膜,發(fā)現(xiàn)氧環(huán)境及沉積方法對SBT薄膜的織構(gòu)和鐵電性能影

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論