2023年全國(guó)碩士研究生考試考研英語(yǔ)一試題真題(含答案詳解+作文范文)_第1頁(yè)
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1、脈沖形成線的小型化趨勢(shì)使得具有高介電常數(shù)、高絕緣性能電介質(zhì)材料的研制成為了重要研究課題。本論文選擇SrTiO3陶瓷作為研究體系,引入玻璃添加劑對(duì)陶瓷進(jìn)行結(jié)構(gòu)調(diào)控,改善其絕緣性能;通過(guò)+3價(jià)稀土Pr元素?fù)诫s對(duì)SrTiO3陶瓷進(jìn)行組分調(diào)節(jié),提高陶瓷體系的介電常數(shù);在制得具有高介電常數(shù)的Pr摻雜SrTiO3陶瓷的基礎(chǔ)上,引入玻璃添加劑優(yōu)化陶瓷的電學(xué)結(jié)構(gòu),以期獲得具有高介電常數(shù)、高絕緣性能的儲(chǔ)能介質(zhì)陶瓷。
   采用以下幾種玻璃添加劑對(duì)

2、SrTiO3陶瓷進(jìn)行結(jié)構(gòu)調(diào)控:(1)非晶態(tài)SiO2,簡(jiǎn)寫(xiě)作S,其D50為4.0μm;(2)固相法制備Ba-Al-B-Si-O玻璃,簡(jiǎn)寫(xiě)作G,其D50為12.7μm;(3)溶膠-凝膠法制備Ba-Al-B-Si-O玻璃,簡(jiǎn)寫(xiě)作SG,根據(jù)球磨時(shí)間的調(diào)節(jié)得到D50分別為6.1μm、2.2μm和0.6μm的3種不同顆粒尺寸的玻璃粉體,分別簡(jiǎn)寫(xiě)作SG1、SG2和SG3。通過(guò)對(duì)各玻璃添加劑改性SrTiO3陶瓷的燒結(jié)性能、結(jié)構(gòu)及相關(guān)介電性能進(jìn)行對(duì)比,最

3、終選擇SG2作為SrTiO3基儲(chǔ)能陶瓷的玻璃添加劑。
   探討了SrTiO3基儲(chǔ)能陶瓷的電學(xué)結(jié)構(gòu)與介電性能的內(nèi)在相關(guān)性。通過(guò)交流阻抗與介電性能測(cè)試,發(fā)現(xiàn)SrTiO3陶瓷的絕緣性能主要來(lái)源于晶界,并且陶瓷內(nèi)部晶粒與晶界之間存在界面極化。在SG2添加改性SrTiO3陶瓷中,添加劑分布于陶瓷晶界中,提高了陶瓷整體的絕緣性能,最終改善了陶瓷的儲(chǔ)能性能;同時(shí),添加劑的引入也會(huì)增強(qiáng)陶瓷內(nèi)部的界面效應(yīng),影響陶瓷的介電性能。
   采

4、用+3價(jià)稀土Pr元素?fù)诫s改性SrTiO3陶瓷,以PrxSr1-xTiO3為陶瓷組分,通過(guò)固相法獲得常溫1kHz介電常數(shù)在310~4750范圍內(nèi)的陶瓷介質(zhì)材料,當(dāng)x=0.0100時(shí),陶瓷體系具有最高的介電常數(shù)4750。介電性能測(cè)試結(jié)果表明,陶瓷在-150~450℃范圍內(nèi)存在多個(gè)介電弛豫現(xiàn)象,證實(shí)其內(nèi)部存在缺陷極化機(jī)制。同時(shí),交流阻抗譜分析結(jié)果表明,在一些具有高介電常數(shù)(103數(shù)量級(jí))的陶瓷樣品內(nèi)部存在著半導(dǎo)化晶粒、絕緣中間區(qū)域和絕緣晶界3

5、種電學(xué)區(qū)域,證實(shí)其內(nèi)部存在界面極化機(jī)制。
   探討了氧空位與Pr摻雜SrTiO3陶瓷內(nèi)部極化機(jī)制的內(nèi)在聯(lián)系。在1100℃空氣氣氛下對(duì)Pr摻雜SrTiO3陶瓷組分樣品進(jìn)行熱處理,并考察熱處理后陶瓷的介電弛豫特性及電學(xué)結(jié)構(gòu)的變化。結(jié)果表明,陶瓷在-150~450℃范圍內(nèi)的各介電弛豫現(xiàn)象均對(duì)應(yīng)陶瓷內(nèi)部氧空位形成的缺陷偶極子極化;同時(shí),氧空位電離對(duì)陶瓷晶粒的半導(dǎo)化也有著較大貢獻(xiàn),其顯著增強(qiáng)了陶瓷內(nèi)部的界面極化。因此,Pr摻雜SrTiO

6、3陶瓷內(nèi)部存在氧空位是其介電常數(shù)提高的主要原因。
   在PrxSr1-xTiO3陶瓷體系中選取介電常數(shù)最高的x=0.0100組分,記作PSTO陶瓷體系。在陶瓷中引入SG2添加劑,優(yōu)化其電學(xué)結(jié)構(gòu),可以明顯改善了陶瓷的絕緣性能;同時(shí),SG2添加劑的引入可顯著降低PSTO陶瓷的介電損耗。當(dāng)SG2添加劑含量為20vol.%時(shí),陶瓷具有較優(yōu)的介電性能:在常溫1kHz頻率下的介電常數(shù)和介電損耗分別為514和0.008,直流電阻率為6.23

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