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文檔簡介
1、本工作采用脈沖激光燒蝕沉積技術(shù)在低溫和較低激光能量條件下沉積了非晶碳化硅(SiC)薄膜，對SiC薄膜的真空熱退火和激光退火晶化特性進(jìn)行了較系統(tǒng)研究。采用原子力顯微鏡(AFM)、拉曼光譜(Raman)和紫外-可見透射光譜(UV-VIStransmission)等檢測技術(shù)對所沉積和退火后的薄膜表面形貌、微結(jié)構(gòu)和光學(xué)特性進(jìn)行了表征和分析。在850℃以上溫度下，采用真空熱退火技術(shù)實(shí)現(xiàn)了SiC薄膜非晶態(tài)向納米晶的轉(zhuǎn)化，隨退火溫度增加，SiC薄膜的
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