基于光生物傳感器的納米多孔硅的制備與特性研究.pdf

1、東華大學(xué)碩士學(xué)位論文基于光生物傳感器的納米多孔硅的制備與特性研究姓名：張曉燕申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專(zhuān)業(yè)：材料物理與化學(xué)指導(dǎo)教師：夏金安201203052隨著多孔硅孔隙率的增加，其折射率隨之降低，呈現(xiàn)反比趨勢(shì)。利用這種反比關(guān)系，可以通過(guò)控制孔隙率來(lái)調(diào)制折射率，制備出適用于不同條件的多孔硅光波導(dǎo)器件。3所制得的多孔硅表面呈較均勻的樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)，孔徑約為15~25nm。隨著腐蝕電流密度，腐蝕時(shí)間的增加，多孔硅的孔徑隨之增大，受腐蝕電流密度影響較大。

2、4多孔硅的厚度隨腐蝕電流密度、腐蝕時(shí)間的增加而增大，但其隨腐蝕時(shí)間的變化較為明顯。低電阻率的硅片(p為O005～O008Qcm)所制得的多孔硅的厚度要高于高電阻率的硅片(p為O01Qcm)。多孔硅厚度與腐蝕時(shí)間、硅片電阻率密切相關(guān)，而與腐蝕電流密度關(guān)系不大。5多孔硅IV特性表現(xiàn)出非整流的歐姆接觸。在相同腐蝕時(shí)間下，隨著腐蝕電流密度的增加，電阻呈先減小后增大趨勢(shì)。在相同腐蝕電流密度下，隨著腐蝕時(shí)間的增加，電阻呈增大趨勢(shì)。關(guān)鍵詞：多孔硅，電