低溫制備摻雜石墨烯.pdf

1、2004年英國Manchester大學的Geim等人發(fā)現(xiàn)單層石墨烯,并因此獲得了2010年的諾貝爾獎。這一發(fā)現(xiàn)立刻震撼了科學界,隨后這種新型碳材料成為材料學和物理學領域的一個研究熱點?；瘜W氣相沉積(CVD)是制備大面積、高質量石墨烯的有效方法,目前CVD生長石墨烯存在的問題是反應溫度高(~1000℃),這對設備及操作具有較高的要求,因此低溫生長石墨烯具有重要的意義。針對這一問題,本文研究采用芳香化合物為原料,低溫制備氮摻雜與硫摻雜的石墨

2、烯,對其結構和性能進行表征,并進一步研究了反應機理,取得了一系列重要的創(chuàng)新性的研究成果:
　　分別采用五氯吡啶與四溴噻吩作為碳源,成功地在230℃和300℃下制備出了大面積、高質量且均一性良好的氮摻雜與硫摻雜石墨烯。通過對其進行的一系列表征表明,所制備的氮摻雜石墨烯主要以單層為主,其厚度約為0.8~1.2納米,其透光率約為97.4％,氮元素原子含量約為7.3%;而所制備的硫摻雜石墨烯為多晶石墨烯,并且為單層與多層混合的石墨烯為主,

3、硫元素原子含量約為1.7%。在反應溫度和摻雜元素比率方面上相比于之前的研究都有所進步。
　　通過分別對它們進行的FET性能測試表明,相對于本征石墨烯,它們都顯示出n型半導體的特性,這是由于氮元素或硫元素的摻雜造成的,與理論預測相一致。其中氮摻雜石墨烯的在真空中的狄拉克點位置在-30V,載流子遷移率為364cm2V-1 s-1,開關比約為1.4;而硫摻雜石墨烯的在真空中的狄拉克點位置在-31.6V,載流子遷移率為9.5cm2V-1

4、s-1,開關比約為1.08。
　　通過對基于硫摻雜石墨烯陰極催化劑的研究表明,我們所制備的硫摻雜石墨烯在0.1M的KOH氧氣飽和溶液中,當掃描速率為100mV/s時其還原電位在-0.32V,高于本征石墨烯的還原電位(-0.4V),說明其具有比本征石墨烯具有更好的電催化能力。經計算得到其在氧化還原反應的電子轉移個數為3.6,該計算結果與理論上的將氧氣還原成氫氧根離子的4個電子遷移數十分接近。在經過了連續(xù)10000秒的催化反應后,其相