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1、該文通過對LTCC、MCM-C和MCM-D三種類型的多芯片組件(MCM)多層布線基板進行-55℃——+125℃溫度循環(huán)和125℃高溫存儲試驗,并根據(jù)其通孔電阻、膜電阻、膜電容和方塊電阻值在試驗前后的變化,總結(jié)了不同樣品的通孔接觸電阻、導(dǎo)體膜和介質(zhì)膜在溫度應(yīng)力下的退化規(guī)律,而且在全面評估三類樣品的長期可靠性的基礎(chǔ)上,針對其中的不合格品和試驗中出現(xiàn)的失效樣品進行了失效分析,給出了失效模式和失效機理,并提出了相應(yīng)的改進措施.從而在評估分析MC
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