DC-DC二次電源輻射特性研究.pdf

1、隨著空間技術的不斷發(fā)展，研究半導體器件與電路的輻射效應，提高其抗輻射水平已經是近年來國內外微電子學領域十分重視的課題。而DC-DC轉換器作為電子設備的核心部分，其性能受輻射影響情況直接關系到整個系統的穩(wěn)定性，因而研究它在受輻射影響后電性能變化情況，提高其抗輻射水平具有極其重要的意義。 本文所做工作為研究DC-DC轉換器電路的輻射性能，仿真分析各電路模塊受影響后基本電性能的變化情況，針對實際電路提出改進方案以提高電路在受輻射影響后

2、性能的穩(wěn)定性。首先在分析基本Boost型DC-DC工作原理及詳細工作過程基礎上，根據實際電路指標要求，建立了從6V到15V的升壓電路，并在Pspice中進行模擬仿真。分析了輻射對半導體材料及雙極型和MOS型器件產生的影響，對主要變化量MOS器件的閾值電壓、雙極型器件的晶體管放大倍數進行了定量分析。根據主因素近似分析方法，對基準電壓源電路、誤差放大器電路的輻射后性能進行了分析，發(fā)現誤差放大器電路性能參數會隨著輻射量變化不斷的發(fā)生變化，文中

3、給出了開環(huán)放大倍數及輸入失調電壓的數值分析；而基準電壓源電路變化趨勢與之不同，在低劑量時，受影響很小，輸出電壓基本不變，當總劑量超過90krad以上時，輸出電壓開始有很明顯的增長趨勢。在分析主開關管受輻射后性能變化基礎上，分析了輻射引起基本升壓電路性能的主要變化情況，發(fā)現電路在總劑量約45krad以上時輸出電壓開始降低，輸入電流開始急劇增加，引起晶體管功耗不斷增長，不利于晶體管及電路的穩(wěn)定。針對引起此變化的主要原因，采用增加輔助電路的方