DC-DC反激拓?fù)涠蝹?cè)同步整流控制芯片的實(shí)現(xiàn).pdf

1、開(kāi)關(guān)電源的核心是DC-DC變換器,而DC-DC變換器追求的一個(gè)重要方面就是降低DC-DC變換的損耗,提高DC-DC變換的效率。在DC-DC變換器的損耗中,以前的肖特基二極管整流損耗占據(jù)很大部分,用導(dǎo)通電阻更低的MOSFET整流可以明顯降低損耗,提高效率。本文設(shè)計(jì)了一款應(yīng)用于反激變換的同步MOSFET整流芯片來(lái)控制同步MOSFET整流管。 反激同步MOSFET整流的關(guān)鍵技術(shù)就是： 1：如何合理控制死區(qū)時(shí)間死區(qū)時(shí)間是指反激變

2、換中,主開(kāi)關(guān)管和整流管都處于截止?fàn)顟B(tài)的時(shí)間。在肖特基二極管反激整流中,幾乎不存在死區(qū)時(shí)間問(wèn)題。而在同步MOSFET整流中,多了一個(gè)柵極,這樣就產(chǎn)生了死區(qū)時(shí)間。如果死區(qū)時(shí)間太短的話,會(huì)造成副邊短路,負(fù)載得不到能量；如果死區(qū)時(shí)間太長(zhǎng)的話,會(huì)使同步整流MOSFET管過(guò)早斷開(kāi),從而降低效率。所以芯片需要設(shè)計(jì)自動(dòng)跟蹤死區(qū)時(shí)間電路。 2：倒流損耗 當(dāng)高頻脈沖變壓器的副邊能量放完時(shí),如果同步整流MOSFET管還處于導(dǎo)通狀態(tài)的話,由于同

3、步整流MOSFET管雙向?qū)ㄐ?儲(chǔ)能電容C的能量通過(guò)同步整流MOSFET管反向倒流,造成不必要的能量浪費(fèi)。所以要在高頻脈沖變壓器的副邊能量放完時(shí),同步整流MOSFET管必須斷開(kāi)。 3：抑制寄生振蕩當(dāng)同步整流MOSFET管導(dǎo)通時(shí),高頻脈沖變壓器的副邊繞組和同步整流MOSFET管的寄生電容發(fā)生的諧振可能會(huì)使同步整流MOSFET管剛一導(dǎo)通又馬上截止。所以要設(shè)計(jì)一種電路保證同步整流MOSFET管可靠導(dǎo)通。 本文設(shè)計(jì)的這款反激變換