無(wú)線(xiàn)通信中低噪聲低功耗CMOS射頻接收芯片設(shè)計(jì).pdf_第1頁(yè)
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1、在CMOS射頻集成電路設(shè)計(jì)中存在大量尚未解決的問(wèn)題.該文的討論焦點(diǎn)是低噪聲和低功耗,主要研究?jī)?nèi)容為:1.噪聲問(wèn)題的本質(zhì)數(shù)學(xué)特性,即噪聲的隨機(jī)特性及其統(tǒng)計(jì)特征.2.MOSFET的基本物理特性,以及與噪聲過(guò)程所結(jié)合的MOSFET的基本噪聲模型.3.以該MOSFET基本噪聲模型為基礎(chǔ),詳細(xì)分析射頻集成電路中的幾個(gè)基本組成部分:低噪聲放大器(Low Noise Amplifier,LNA)、混頻器(Mixer)和鎖相環(huán)(Phase Lock L

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